科技创新导报
科技創新導報
과기창신도보
SCIENCE AND TECHNOLOGY CONSULTING HERALD
2013年
2期
73-74
,共2页
光导开关%3C%SiC薄膜%偏置电压
光導開關%3C%SiC薄膜%偏置電壓
광도개관%3C%SiC박막%편치전압
该文报道了一种可承受33 kV偏置电压的光导开关结构.该结构从两方面提高光导开关的耐压特性:两层厚度为20 μ m的3C-SiC薄膜采用HFCVD工艺制备在6H-SiC基片表面,用于输出电脉冲传输,可消除了6H-SiC基片的微管缺陷对光导开关耐压特性的影响；电极位于两层薄膜之间,增加了接触面积,因此降低了电极表面的电流密度.
該文報道瞭一種可承受33 kV偏置電壓的光導開關結構.該結構從兩方麵提高光導開關的耐壓特性:兩層厚度為20 μ m的3C-SiC薄膜採用HFCVD工藝製備在6H-SiC基片錶麵,用于輸齣電脈遲傳輸,可消除瞭6H-SiC基片的微管缺陷對光導開關耐壓特性的影響；電極位于兩層薄膜之間,增加瞭接觸麵積,因此降低瞭電極錶麵的電流密度.
해문보도료일충가승수33 kV편치전압적광도개관결구.해결구종량방면제고광도개관적내압특성:량층후도위20 μ m적3C-SiC박막채용HFCVD공예제비재6H-SiC기편표면,용우수출전맥충전수,가소제료6H-SiC기편적미관결함대광도개관내압특성적영향；전겁위우량층박막지간,증가료접촉면적,인차강저료전겁표면적전류밀도.
