高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2013年
3期
527-531
,共5页
李善文%李伟%李国兴%张宝林%周本初%陶伯万%高忠民
李善文%李偉%李國興%張寶林%週本初%陶伯萬%高忠民
리선문%리위%리국흥%장보림%주본초%도백만%고충민
YBa2Cu3O7-x(YBCO)%Ni衬底%金属有机物化学气相沉积(MOCVD)%光辅助MOCVD
YBa2Cu3O7-x(YBCO)%Ni襯底%金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)%光輔助MOCVD
YBa2Cu3O7-x(YBCO)%Ni츤저%금속유궤물화학기상침적(MOCVD)%광보조MOCVD
采用光辅助金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在生长有CeO2/YSZ/Y2 O3(YSZ为Y稳定的ZrO2)缓冲层的双轴取向Ni衬底上进行了YBa2 Cu3 O7_x(YBCO)外延膜生长,并与LaAlO3(100)[LAO(100)]单晶衬底上的YBCO外延膜生长进行了对比.发现在Ni衬底上c轴取向YBCO外延膜的生长温度比LAO衬底上的生长温度低约30℃,但生长速度更快.经分析认为,这种差别主要是由于Ni衬底的热导率比LAO衬底高造成的.Ni衬底及LAO衬底上生长的c轴取向YBCO外延膜的超导极限电流密度(Jc)分别约为0.5 MA/cm2及1.8 MA/cm2.
採用光輔助金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)法,在生長有CeO2/YSZ/Y2 O3(YSZ為Y穩定的ZrO2)緩遲層的雙軸取嚮Ni襯底上進行瞭YBa2 Cu3 O7_x(YBCO)外延膜生長,併與LaAlO3(100)[LAO(100)]單晶襯底上的YBCO外延膜生長進行瞭對比.髮現在Ni襯底上c軸取嚮YBCO外延膜的生長溫度比LAO襯底上的生長溫度低約30℃,但生長速度更快.經分析認為,這種差彆主要是由于Ni襯底的熱導率比LAO襯底高造成的.Ni襯底及LAO襯底上生長的c軸取嚮YBCO外延膜的超導極限電流密度(Jc)分彆約為0.5 MA/cm2及1.8 MA/cm2.
채용광보조금속유궤물화학기상침적(MOCVD)법,재생장유CeO2/YSZ/Y2 O3(YSZ위Y은정적ZrO2)완충층적쌍축취향Ni츤저상진행료YBa2 Cu3 O7_x(YBCO)외연막생장,병여LaAlO3(100)[LAO(100)]단정츤저상적YBCO외연막생장진행료대비.발현재Ni츤저상c축취향YBCO외연막적생장온도비LAO츤저상적생장온도저약30℃,단생장속도경쾌.경분석인위,저충차별주요시유우Ni츤저적열도솔비LAO츤저고조성적.Ni츤저급LAO츤저상생장적c축취향YBCO외연막적초도겁한전류밀도(Jc)분별약위0.5 MA/cm2급1.8 MA/cm2.
