高电压技术
高電壓技術
고전압기술
HIGH VOLTAGE ENGINEERING
2013年
11期
2670-2677
,共8页
周生奇%周雒维%孙鹏菊%吴军科%李亚萍
週生奇%週雒維%孫鵬菊%吳軍科%李亞萍
주생기%주락유%손붕국%오군과%리아평
可靠性%缺陷%IGBT模块%脉冲响应%频率响应分析%寄生参数
可靠性%缺陷%IGBT模塊%脈遲響應%頻率響應分析%寄生參數
가고성%결함%IGBT모괴%맥충향응%빈솔향응분석%기생삼수
reliability%defect%IGBT module%impulse response%frequency response analysis%parasitic parameter
为提高绝缘栅门极晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块运行的可靠性,研究了缺陷对IGBT模块内部寄生参数的影响,提出了一种基于频率响应的IGBT模块内部缺陷诊断方法,并对其工作原理和性能特点进行了详细分析.该方法基于IGBT模块失效过程中电或热老化导致的内部寄生参数变化,即在IGBT模块集射极开路状态下,通过在门极与发射极之间施加扫频激励信号,获取不同运行阶段集射极响应频谱的变化,由此判断IGBT模块内部是否存在缺陷.实验研究结果证实,所提出的方法可以有效辨识IGBT模块内部硅片失效缺陷,能够为及时替换赢得时间,从而避免模块的完全失效及由此造成的装置损坏,与现有的故障诊断方法相比,其响应时间更充裕.
為提高絕緣柵門極晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模塊運行的可靠性,研究瞭缺陷對IGBT模塊內部寄生參數的影響,提齣瞭一種基于頻率響應的IGBT模塊內部缺陷診斷方法,併對其工作原理和性能特點進行瞭詳細分析.該方法基于IGBT模塊失效過程中電或熱老化導緻的內部寄生參數變化,即在IGBT模塊集射極開路狀態下,通過在門極與髮射極之間施加掃頻激勵信號,穫取不同運行階段集射極響應頻譜的變化,由此判斷IGBT模塊內部是否存在缺陷.實驗研究結果證實,所提齣的方法可以有效辨識IGBT模塊內部硅片失效缺陷,能夠為及時替換贏得時間,從而避免模塊的完全失效及由此造成的裝置損壞,與現有的故障診斷方法相比,其響應時間更充裕.
위제고절연책문겁정체관(insulated gate bipolar transistor,IGBT)모괴운행적가고성,연구료결함대IGBT모괴내부기생삼수적영향,제출료일충기우빈솔향응적IGBT모괴내부결함진단방법,병대기공작원리화성능특점진행료상세분석.해방법기우IGBT모괴실효과정중전혹열노화도치적내부기생삼수변화,즉재IGBT모괴집사겁개로상태하,통과재문겁여발사겁지간시가소빈격려신호,획취불동운행계단집사겁향응빈보적변화,유차판단IGBT모괴내부시부존재결함.실험연구결과증실,소제출적방법가이유효변식IGBT모괴내부규편실효결함,능구위급시체환영득시간,종이피면모괴적완전실효급유차조성적장치손배,여현유적고장진단방법상비,기향응시간경충유.
