应用化学
應用化學
응용화학
CHINESE JOURNAL OF APPLIED CHEMISTRY
2013年
12期
1463-1469
,共7页
碲化镉%量子点%巯基丙酸%硫普罗宁%电解质
碲化鎘%量子點%巰基丙痠%硫普囉寧%電解質
제화력%양자점%구기병산%류보라저%전해질
cadmium telluride%quantum dots%mercapto-propanoic acid%tiopronin%electrolyte
对比了不同巯基稳定剂和前体浓度对水热环境CdTe量子点的生长过程和光物理性质的影响.结果表明,巯基丙酸与镉前体的结合能力较强,一定程度上减小了前体溶液中镉的浓度,故CdTe量子点生长速率较慢;空间位阻较大的硫普罗宁与镉前体的结合相对较弱,因此导致CdTe量子点生长较快.巯基丙酸有利于制备发光波长较短的高荧光强度CdTe量子点,而硫普罗宁有利于制备发光波长较长的高荧光强度CdTe量子点.前体浓度对CdTe量子点的生长速率和光物理性质的影响不明显.在上述实验结果基础上,考察了水溶性乙酸钠和聚丙烯酸钠电解质对水热环境中CdTe量子点的生长过程和光物理性质的影响.结果表明,添加乙酸钠后可提高CdTe量子点的生长速率,进而导致CdTe量子点的表面重构和钝化能力下降,使荧光强度降低;聚丙烯酸钠对镉单体独特的固定作用导致CdTe量子点生长缓慢,尺寸集中化受限,钝化能力降低,使荧光强度下降更加明显.
對比瞭不同巰基穩定劑和前體濃度對水熱環境CdTe量子點的生長過程和光物理性質的影響.結果錶明,巰基丙痠與鎘前體的結閤能力較彊,一定程度上減小瞭前體溶液中鎘的濃度,故CdTe量子點生長速率較慢;空間位阻較大的硫普囉寧與鎘前體的結閤相對較弱,因此導緻CdTe量子點生長較快.巰基丙痠有利于製備髮光波長較短的高熒光彊度CdTe量子點,而硫普囉寧有利于製備髮光波長較長的高熒光彊度CdTe量子點.前體濃度對CdTe量子點的生長速率和光物理性質的影響不明顯.在上述實驗結果基礎上,攷察瞭水溶性乙痠鈉和聚丙烯痠鈉電解質對水熱環境中CdTe量子點的生長過程和光物理性質的影響.結果錶明,添加乙痠鈉後可提高CdTe量子點的生長速率,進而導緻CdTe量子點的錶麵重構和鈍化能力下降,使熒光彊度降低;聚丙烯痠鈉對鎘單體獨特的固定作用導緻CdTe量子點生長緩慢,呎吋集中化受限,鈍化能力降低,使熒光彊度下降更加明顯.
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