电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
6期
760-764
,共5页
孙世滔%蔡斐%李川%吕国强
孫世滔%蔡斐%李川%呂國彊
손세도%채비%리천%려국강
功率放大器%高效率%GaN HEMT%非线性电容
功率放大器%高效率%GaN HEMT%非線性電容
공솔방대기%고효솔%GaN HEMT%비선성전용
power amplifier%high efficiency%GaN HEMT%nonlinear output capacitor
分析了GaN(氮化镓)HEMT(高电子迁移率晶体管)非线性输出电容寄生参数Cout与功率放大器效率的关系.通过建立非线性电路模型分析得出,Cour与外部合适的匹配电路结合能产生类似电压半正弦波,电流方波的最优效率波形.选用GaN HEMT器件设计S频段射频功率放大器,实测结果显示该放大器最高漏极效率(DE)为81.7％,功率附加效率(PAE)78.56％,功率为41.16 dBm,在100 M带宽内PAE也可达74.49％以上,并且结构简单.实测结果验证了原理分析的可靠性.
分析瞭GaN(氮化鎵)HEMT(高電子遷移率晶體管)非線性輸齣電容寄生參數Cout與功率放大器效率的關繫.通過建立非線性電路模型分析得齣,Cour與外部閤適的匹配電路結閤能產生類似電壓半正絃波,電流方波的最優效率波形.選用GaN HEMT器件設計S頻段射頻功率放大器,實測結果顯示該放大器最高漏極效率(DE)為81.7％,功率附加效率(PAE)78.56％,功率為41.16 dBm,在100 M帶寬內PAE也可達74.49％以上,併且結構簡單.實測結果驗證瞭原理分析的可靠性.
분석료GaN(담화가)HEMT(고전자천이솔정체관)비선성수출전용기생삼수Cout여공솔방대기효솔적관계.통과건립비선성전로모형분석득출,Cour여외부합괄적필배전로결합능산생유사전압반정현파,전류방파적최우효솔파형.선용GaN HEMT기건설계S빈단사빈공솔방대기,실측결과현시해방대기최고루겁효솔(DE)위81.7％,공솔부가효솔(PAE)78.56％,공솔위41.16 dBm,재100 M대관내PAE야가체74.49％이상,병차결구간단.실측결과험증료원리분석적가고성.
