电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2013年
6期
755-759
,共5页
功率器件%热阻%电学法%耗散功率%环境温度
功率器件%熱阻%電學法%耗散功率%環境溫度
공솔기건%열조%전학법%모산공솔%배경온도
power device%thermal resistance%electrical method%power dissipation%ambient temperature
运用电学测试法,以TO-39和TO-254两款不同封装类型功率VDMOS为实验对象,深入研究了耗散功率和环境温度对器件稳态热阻值的影响.结果表明:器件热阻值不是一个恒定不变的常量,由于电流拥挤效应,材料导热系数等条件的改变,它会随耗散功率及环境温度的增大而增大.该研究加深了对功率器件热阻理论的认识,为功率VDMOS的热特性评估提供了可靠的依据.
運用電學測試法,以TO-39和TO-254兩款不同封裝類型功率VDMOS為實驗對象,深入研究瞭耗散功率和環境溫度對器件穩態熱阻值的影響.結果錶明:器件熱阻值不是一箇恆定不變的常量,由于電流擁擠效應,材料導熱繫數等條件的改變,它會隨耗散功率及環境溫度的增大而增大.該研究加深瞭對功率器件熱阻理論的認識,為功率VDMOS的熱特性評估提供瞭可靠的依據.
운용전학측시법,이TO-39화TO-254량관불동봉장류형공솔VDMOS위실험대상,심입연구료모산공솔화배경온도대기건은태열조치적영향.결과표명:기건열조치불시일개항정불변적상량,유우전류옹제효응,재료도열계수등조건적개변,타회수모산공솔급배경온도적증대이증대.해연구가심료대공솔기건열조이론적인식,위공솔VDMOS적열특성평고제공료가고적의거.
