苏州科技学院学报（自然科学版）
囌州科技學院學報（自然科學版）
소주과기학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY OF SUZHOU(NATURAL SCIENCE EDITION)
2013年
4期
39-42
,共4页
张浩%王鑫%董洁雯%邵雪峰%马锡英
張浩%王鑫%董潔雯%邵雪峰%馬錫英
장호%왕흠%동길문%소설봉%마석영
铜掺杂的氧化锌%化学气相沉积法%吸收谱%光致发光%伏安特性
銅摻雜的氧化鋅%化學氣相沉積法%吸收譜%光緻髮光%伏安特性
동참잡적양화자%화학기상침적법%흡수보%광치발광%복안특성
氧化锌(ZnO)是一种新型稀磁半导体材料,有优良的磁学及光学性质,透明度高,常温发光性能优异.根据半导体掺杂原理,以氧化锌为原料,过渡金属元素铜为掺杂元素,采用化学气相沉积法(CVD),制备了铜掺杂纳米氧化锌薄膜.利用晶向显微镜观察ZnO:Cu在衬底硅片上的表面形貌和生长情况,利用光致发光谱和分光光度计分析了样品的光发射和光吸收特性,研究了薄膜的伏安特性.发现铜掺杂对氧化锌薄膜的光吸收和光发射以及表面伏安特性都有很大的影响.随铜掺杂含量的增加,光吸收强度明显增大,光发射峰更加丰富.适当掺杂量的情况下,电流明显增大,但掺杂量太大,会引入缺陷和晶界,反而会使漏电流增大.10％-20％掺杂量为比较理想的掺杂量.
氧化鋅(ZnO)是一種新型稀磁半導體材料,有優良的磁學及光學性質,透明度高,常溫髮光性能優異.根據半導體摻雜原理,以氧化鋅為原料,過渡金屬元素銅為摻雜元素,採用化學氣相沉積法(CVD),製備瞭銅摻雜納米氧化鋅薄膜.利用晶嚮顯微鏡觀察ZnO:Cu在襯底硅片上的錶麵形貌和生長情況,利用光緻髮光譜和分光光度計分析瞭樣品的光髮射和光吸收特性,研究瞭薄膜的伏安特性.髮現銅摻雜對氧化鋅薄膜的光吸收和光髮射以及錶麵伏安特性都有很大的影響.隨銅摻雜含量的增加,光吸收彊度明顯增大,光髮射峰更加豐富.適噹摻雜量的情況下,電流明顯增大,但摻雜量太大,會引入缺陷和晶界,反而會使漏電流增大.10％-20％摻雜量為比較理想的摻雜量.
양화자(ZnO)시일충신형희자반도체재료,유우량적자학급광학성질,투명도고,상온발광성능우이.근거반도체참잡원리,이양화자위원료,과도금속원소동위참잡원소,채용화학기상침적법(CVD),제비료동참잡납미양화자박막.이용정향현미경관찰ZnO:Cu재츤저규편상적표면형모화생장정황,이용광치발광보화분광광도계분석료양품적광발사화광흡수특성,연구료박막적복안특성.발현동참잡대양화자박막적광흡수화광발사이급표면복안특성도유흔대적영향.수동참잡함량적증가,광흡수강도명현증대,광발사봉경가봉부.괄당참잡량적정황하,전류명현증대,단참잡량태대,회인입결함화정계,반이회사루전류증대.10％-20％참잡량위비교이상적참잡량.
