厦门大学学报（自然科学版）
廈門大學學報（自然科學版）
하문대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIAMEN UNIVERSITY (NATURAL SCIENCE)
2013年
6期
733-738
,共6页
非晶多层膜%Co/Ge%磁性半导体%自旋极化
非晶多層膜%Co/Ge%磁性半導體%自鏇極化
비정다층막%Co/Ge%자성반도체%자선겁화
amorphous multilayer film%Co/Ge%magnetic semiconductor%spinpolarize
采用射频溅射的方法制备了[Cox/Ge10-x](x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm)非晶多层薄膜,X射线衍射仪(XRD)显示样品中不存在第二相.随着Co层厚度增加,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性.制备态的[Co2.5/Ge7.5]的饱和磁化强度Ms可达8.3×104 A/m.霍尔效应测试表明样品均为P型半导体,载流子浓度约为1023～1025 m-3.薄膜的低温电阻导电机理属于磁性半导体材料的自旋依赖电子变程跃迁机制,实验结果表明,Co/Ge体系有作为新型自旋电子学器件材料的可能.
採用射頻濺射的方法製備瞭[Cox/Ge10-x](x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm)非晶多層薄膜,X射線衍射儀(XRD)顯示樣品中不存在第二相.隨著Co層厚度增加,室溫下薄膜磁性由抗磁性轉變為鐵磁性.製備態的[Co2.5/Ge7.5]的飽和磁化彊度Ms可達8.3×104 A/m.霍爾效應測試錶明樣品均為P型半導體,載流子濃度約為1023～1025 m-3.薄膜的低溫電阻導電機理屬于磁性半導體材料的自鏇依賴電子變程躍遷機製,實驗結果錶明,Co/Ge體繫有作為新型自鏇電子學器件材料的可能.
채용사빈천사적방법제비료[Cox/Ge10-x](x=0.1,0.3,0.5,0.7,1.0,1.5,2.5 nm)비정다층박막,X사선연사의(XRD)현시양품중불존재제이상.수착Co층후도증가,실온하박막자성유항자성전변위철자성.제비태적[Co2.5/Ge7.5]적포화자화강도Ms가체8.3×104 A/m.곽이효응측시표명양품균위P형반도체,재류자농도약위1023～1025 m-3.박막적저온전조도전궤리속우자성반도체재료적자선의뢰전자변정약천궤제,실험결과표명,Co/Ge체계유작위신형자선전자학기건재료적가능.
