CAJ | 학술논문

运用密度泛函方法在(U) B3 LYP/LanL2DZ水平上研究了Nb2Sin-(n=1～6)团簇的几何结构和电子性质.结果发现Nb2Sin-(n=1～6)团簇只是在相应的Nb2Sin团簇的结构基础上发生了微小畸变.其中Nb2Si6-团簇结构变化较为严重.对平均束缚能和分裂能的研究发现,Nb2Sin-(n=1～6)团簇的平均束缚能和分裂能均明显高于相应的Nb2 Sin团簇,表明增加一个电子可以提高Nb2Sin(n=1～6)团簇的稳定性.通过对最低能构型的分裂能的研究发现,Nb2 Si3团簇和Nb2 Si3团簇分别是Nb2Sin-和Nb2Sin(n=1～6)团簇中所有最低能构型中最稳定的.对电荷自然布局的研究发现,在Nb2Sin-(n=1～6)团簇中出现了电子反转.而对于Nb2Sin(n=1～6)团簇,当n=4～6时出现电子反转现象,n=1～2时电子转移符合常规.对HOMO-LUMO能隙的研究结果表明,除了n=1,6外,其余Nb2Sin-(n=2～5)团簇最低能结构的HOMO-LUMO能隙均小于相应的Nb2Sin团簇,说明在这些团簇中增加一个电子增强了团簇的化学活性,但是当n=1、6时增加一个电子,该团簇的化学活性反而降低了.对于Nb2Sin-(n=1～6)团簇来讲,Nb2 Si2和Nb2Si5-团簇分别成为Nb2Sin-(n=1～6)团簇中化学稳定性最强和化学活性最强的.且Nb2Sin-(n=1～6)团簇呈现半导体属性.对磁矩的研究结果表明,Nb2Sin-(n=1～6)团簇的最低能结构的总磁矩均为1.00μB,两个Nb原子的局域磁矩方向,除了Nb2Si5-团簇有一个铌原子与总磁矩相反外,其余均与总磁矩方向相同.说明各团簇中两个铌原子和硅原子对磁矩的贡献不同,方向也不完全相同.
운용밀도범함방법재(U) B3 LYP/LanL2DZ수평상연구료Nb2Sin-(n=1～6)단족적궤하결구화전자성질.결과발현Nb2Sin-(n=1～6)단족지시재상응적Nb2Sin단족적결구기출상발생료미소기변.기중Nb2Si6-단족결구변화교위엄중.대평균속박능화분렬능적연구발현,Nb2Sin-(n=1～6)단족적평균속박능화분렬능균명현고우상응적Nb2 Sin단족,표명증가일개전자가이제고Nb2Sin(n=1～6)단족적은정성.통과대최저능구형적분렬능적연구발현,Nb2 Si3단족화Nb2 Si3단족분별시Nb2Sin-화Nb2Sin(n=1～6)단족중소유최저능구형중최은정적.대전하자연포국적연구발현,재Nb2Sin-(n=1～6)단족중출현료전자반전.이대우Nb2Sin(n=1～6)단족,당n=4～6시출현전자반전현상,n=1～2시전자전이부합상규.대HOMO-LUMO능극적연구결과표명,제료n=1,6외,기여Nb2Sin-(n=2～5)단족최저능결구적HOMO-LUMO능극균소우상응적Nb2Sin단족,설명재저사단족중증가일개전자증강료단족적화학활성,단시당n=1、6시증가일개전자,해단족적화학활성반이강저료.대우Nb2Sin-(n=1～6)단족래강,Nb2 Si2화Nb2Si5-단족분별성위Nb2Sin-(n=1～6)단족중화학은정성최강화화학활성최강적.차Nb2Sin-(n=1～6)단족정현반도체속성.대자구적연구결과표명,Nb2Sin-(n=1～6)단족적최저능결구적총자구균위1.00μB,량개Nb원자적국역자구방향,제료Nb2Si5-단족유일개니원자여총자구상반외,기여균여총자구방향상동.설명각단족중량개니원자화규원자대자구적공헌불동,방향야불완전상동.