合肥工业大学学报（自然科学版）
閤肥工業大學學報（自然科學版）
합비공업대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF HEFEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE)
2012年
12期
1665-1668
,共4页
潘训刚%何晓雄%胡冰冰%马志敏
潘訓剛%何曉雄%鬍冰冰%馬誌敏
반훈강%하효웅%호빙빙%마지민
SiC薄膜%电子束蒸发物理气相沉积%原子力显微镜%扫描电子显微镜%X射线衍射
SiC薄膜%電子束蒸髮物理氣相沉積%原子力顯微鏡%掃描電子顯微鏡%X射線衍射
SiC박막%전자속증발물리기상침적%원자력현미경%소묘전자현미경%X사선연사
文章采用电子束蒸发物理气相沉积(EB-PVD)技术在单晶Si片上制备SiC薄膜,通过台阶仪(surface profiler)、原子力显微镜(AFM)、半导体综合测试仪、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜表面形貌、电学性能及其结构进行分析.结果表明:SiC薄膜越厚,表面平均粗糙度越低；退火温度越高,薄膜结晶质量越好；对SiC薄膜进行辐照的光频率越高,光电流越大.
文章採用電子束蒸髮物理氣相沉積(EB-PVD)技術在單晶Si片上製備SiC薄膜,通過檯階儀(surface profiler)、原子力顯微鏡(AFM)、半導體綜閤測試儀、X射線衍射(XRD)和掃描電子顯微鏡(SEM)對薄膜錶麵形貌、電學性能及其結構進行分析.結果錶明:SiC薄膜越厚,錶麵平均粗糙度越低；退火溫度越高,薄膜結晶質量越好；對SiC薄膜進行輻照的光頻率越高,光電流越大.
문장채용전자속증발물리기상침적(EB-PVD)기술재단정Si편상제비SiC박막,통과태계의(surface profiler)、원자력현미경(AFM)、반도체종합측시의、X사선연사(XRD)화소묘전자현미경(SEM)대박막표면형모、전학성능급기결구진행분석.결과표명:SiC박막월후,표면평균조조도월저；퇴화온도월고,박막결정질량월호；대SiC박막진행복조적광빈솔월고,광전류월대.
