华南师范大学学报（自然科学版）
華南師範大學學報（自然科學版）
화남사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY （NATURAL SCIENCE EDITION）
2013年
1期
51-55
,共5页
B掺杂%单壁碳纳米管%电子结构%第一性原理
B摻雜%單壁碳納米管%電子結構%第一性原理
B참잡%단벽탄납미관%전자결구%제일성원리
基于密度泛函理论的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的单壁碳纳米管(SWCNT)的几何结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2) SWCNT电子结构的影响.B杂质的引入使SWCNT的管径增大,杂质的形成能为负值,表明(2,2) SWCNT进行掺B的过程为放热反应,B原子以替位形式掺入碳纳米管中是可行的.掺杂B后,SWCNT的费米能级向价带迁移,使(2,2)SWCNT转变为N型半导体.
基于密度汎函理論的第一性原理,計算瞭不同B摻雜濃度的單壁碳納米管(SWCNT)的幾何結構、雜質的形成能、能帶結構和態密度(DFT),研究瞭B摻雜對(2,2) SWCNT電子結構的影響.B雜質的引入使SWCNT的管徑增大,雜質的形成能為負值,錶明(2,2) SWCNT進行摻B的過程為放熱反應,B原子以替位形式摻入碳納米管中是可行的.摻雜B後,SWCNT的費米能級嚮價帶遷移,使(2,2)SWCNT轉變為N型半導體.
기우밀도범함이론적제일성원리,계산료불동B참잡농도적단벽탄납미관(SWCNT)적궤하결구、잡질적형성능、능대결구화태밀도(DFT),연구료B참잡대(2,2) SWCNT전자결구적영향.B잡질적인입사SWCNT적관경증대,잡질적형성능위부치,표명(2,2) SWCNT진행참B적과정위방열반응,B원자이체위형식참입탄납미관중시가행적.참잡B후,SWCNT적비미능급향개대천이,사(2,2)SWCNT전변위N형반도체.
