硅谷
硅穀
규곡
SILICON VALLEY
2013年
21期
49-50
,共2页
刘岳飞%沈朋%肖峻
劉嶽飛%瀋朋%肖峻
류악비%침붕%초준
一维光子晶体%传输矩阵%基本周期%禁带宽度%禁带中心波长
一維光子晶體%傳輸矩陣%基本週期%禁帶寬度%禁帶中心波長
일유광자정체%전수구진%기본주기%금대관도%금대중심파장
利用传输矩阵的方法，研究一维光子晶体基本周期的介质排列顺序对光子禁带的影响以及光波入射角度对禁带宽度和禁带中心波长的影响。通过MATLAB仿真，结果表明，在入射角一定的情况下，光子晶体的介质排列顺序对光子禁带的宽度和中心波长没有影响。在入射角从0°-85°的变化过程中，禁带的宽度由514 nm增加到614 nm，禁带的中心位置由1593 nm减小到1411 nm。
利用傳輸矩陣的方法，研究一維光子晶體基本週期的介質排列順序對光子禁帶的影響以及光波入射角度對禁帶寬度和禁帶中心波長的影響。通過MATLAB倣真，結果錶明，在入射角一定的情況下，光子晶體的介質排列順序對光子禁帶的寬度和中心波長沒有影響。在入射角從0°-85°的變化過程中，禁帶的寬度由514 nm增加到614 nm，禁帶的中心位置由1593 nm減小到1411 nm。
이용전수구진적방법，연구일유광자정체기본주기적개질배렬순서대광자금대적영향이급광파입사각도대금대관도화금대중심파장적영향。통과MATLAB방진，결과표명，재입사각일정적정황하，광자정체적개질배렬순서대광자금대적관도화중심파장몰유영향。재입사각종0°-85°적변화과정중，금대적관도유514 nm증가도614 nm，금대적중심위치유1593 nm감소도1411 nm。
