太赫兹科学与电子信息学报
太赫玆科學與電子信息學報
태혁자과학여전자신식학보
Information and Electronic Engineering
2014年
2期
238-241,265
,共5页
超宽带%低噪声放大器%二阶切比雪夫滤波器%带外抑制电容
超寬帶%低譟聲放大器%二階切比雪伕濾波器%帶外抑製電容
초관대%저조성방대기%이계절비설부려파기%대외억제전용
Ultra-Wideband%Low Noise Amplifier%second-order Chebyshev filter%out-band suppression capacitor
采用 TSMC公司的0.18μm CMOS工艺，设计了一款具有带外抑制功能的超宽带低噪声放大器(UWB LNA)，电路基于窄带 PCSNIM LNA拓扑结构，并利用二阶切比雪夫滤波器和带外抑制电容代替传统输入匹配网络。电路由1.8 V直流电源供电，功耗约为11.5 mW。仿真结果表明，在3 GHz~5 GHz 的超宽带频段内，平均正向增益约为13.9 dB，输入、输出回波损耗 S11和 S22分别小于-13 dB和-15 dB，最小噪声系数仅为0.997 dB，三阶交调点 IIP3均值为5.40 dB。此外，反向隔离度S12和稳定性 StabFact1等性能指标也取得了不错的仿真效果。
採用 TSMC公司的0.18μm CMOS工藝，設計瞭一款具有帶外抑製功能的超寬帶低譟聲放大器(UWB LNA)，電路基于窄帶 PCSNIM LNA拓撲結構，併利用二階切比雪伕濾波器和帶外抑製電容代替傳統輸入匹配網絡。電路由1.8 V直流電源供電，功耗約為11.5 mW。倣真結果錶明，在3 GHz~5 GHz 的超寬帶頻段內，平均正嚮增益約為13.9 dB，輸入、輸齣迴波損耗 S11和 S22分彆小于-13 dB和-15 dB，最小譟聲繫數僅為0.997 dB，三階交調點 IIP3均值為5.40 dB。此外，反嚮隔離度S12和穩定性 StabFact1等性能指標也取得瞭不錯的倣真效果。
채용 TSMC공사적0.18μm CMOS공예，설계료일관구유대외억제공능적초관대저조성방대기(UWB LNA)，전로기우착대 PCSNIM LNA탁복결구，병이용이계절비설부려파기화대외억제전용대체전통수입필배망락。전로유1.8 V직류전원공전，공모약위11.5 mW。방진결과표명，재3 GHz~5 GHz 적초관대빈단내，평균정향증익약위13.9 dB，수입、수출회파손모 S11화 S22분별소우-13 dB화-15 dB，최소조성계수부위0.997 dB，삼계교조점 IIP3균치위5.40 dB。차외，반향격리도S12화은정성 StabFact1등성능지표야취득료불착적방진효과。
A Ultra-Wideband Low Noise Amplifier(UWB LNA) with out-band suppression function is designed by using the TSMC 0.18μm CMOS process. The circuit is based on narrow-band PCSNIM LNA topology, and a second-order Chebyshev filter and out-band suppression capacitor are used to replace the traditional input matching network. The consumption of LNA is about 11.5 mW at 1.8 V DC power supply. In the 3 GHz-5 GHz UWB frequency band, the simulation results are showed in the forward gain about 13.9 dB, the input reflection coefficient S11, output reflection coefficient S22 are below-13 dB and-15 dB, respectively;the minimum noise figure only 0.997 dB;the third-order intercept point IIP3 averages at 5.40 dB. In addition, some other satisfactory results are obtained in the reverse isolation S12 and the stability StabFact1 etc.
