甘肃科技
甘肅科技
감숙과기
GANSU SCIENCE AND TECHNOLOGY
2013年
21期
52-53
,共2页
双电子复合%速率系数
雙電子複閤%速率繫數
쌍전자복합%속솔계수
利用基于全相对论组态相互作用理论的Flexible Atomic Code (FAC)程序包,详细研究了Sn5离子的双电子复合(DR)过程.通过比较不同壳层电子激发的DR速率系数,得知4d,4p壳层电子激发是主要的DR通道.计算得到了俘获电子至不同壳层n的总DR速率系数,并外推到了n=100.
利用基于全相對論組態相互作用理論的Flexible Atomic Code (FAC)程序包,詳細研究瞭Sn5離子的雙電子複閤(DR)過程.通過比較不同殼層電子激髮的DR速率繫數,得知4d,4p殼層電子激髮是主要的DR通道.計算得到瞭俘穫電子至不同殼層n的總DR速率繫數,併外推到瞭n=100.
이용기우전상대론조태상호작용이론적Flexible Atomic Code (FAC)정서포,상세연구료Sn5리자적쌍전자복합(DR)과정.통과비교불동각층전자격발적DR속솔계수,득지4d,4p각층전자격발시주요적DR통도.계산득도료부획전자지불동각층n적총DR속솔계수,병외추도료n=100.
