功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2013年
8期
1081-1085
,共5页
热蒸发%热处理%SnS薄膜%Zn掺杂%电学特性
熱蒸髮%熱處理%SnS薄膜%Zn摻雜%電學特性
열증발%열처리%SnS박막%Zn참잡%전학특성
用质量比为1％∶0.2％(质量分数)的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单正交晶系SnS多晶薄膜,薄膜的电阻率为103 Ω·cm,选择2％和4％(质量分数)的Zn掺杂来改善SnS薄膜的导电性.研究表明,SnS∶Zn薄膜最有效的热处理条件为300℃、40min,掺Zn后薄膜的物相结构转为简单正交和面心正交晶系混合相,SnS∶Zn薄膜(2％和4％(质量分数))的电阻率在1.8528 × 10-3～4.944×10-4 Ω·cm之间,导电类型为N型.薄膜中Sn和S分别呈+2和-2价,Zn显示+2价,以间隙和替位两种状态存在于SnS中,对薄膜导电性起改善作用的是间隙态的Zn离子.
用質量比為1％∶0.2％(質量分數)的Sn、S混閤粉末在玻璃襯底上熱蒸髮沉積SnS薄膜,氮氣保護下對薄膜進行350℃、40min熱處理後,得到簡單正交晶繫SnS多晶薄膜,薄膜的電阻率為103 Ω·cm,選擇2％和4％(質量分數)的Zn摻雜來改善SnS薄膜的導電性.研究錶明,SnS∶Zn薄膜最有效的熱處理條件為300℃、40min,摻Zn後薄膜的物相結構轉為簡單正交和麵心正交晶繫混閤相,SnS∶Zn薄膜(2％和4％(質量分數))的電阻率在1.8528 × 10-3～4.944×10-4 Ω·cm之間,導電類型為N型.薄膜中Sn和S分彆呈+2和-2價,Zn顯示+2價,以間隙和替位兩種狀態存在于SnS中,對薄膜導電性起改善作用的是間隙態的Zn離子.
용질량비위1％∶0.2％(질량분수)적Sn、S혼합분말재파리츤저상열증발침적SnS박막,담기보호하대박막진행350℃、40min열처리후,득도간단정교정계SnS다정박막,박막적전조솔위103 Ω·cm,선택2％화4％(질량분수)적Zn참잡래개선SnS박막적도전성.연구표명,SnS∶Zn박막최유효적열처리조건위300℃、40min,참Zn후박막적물상결구전위간단정교화면심정교정계혼합상,SnS∶Zn박막(2％화4％(질량분수))적전조솔재1.8528 × 10-3～4.944×10-4 Ω·cm지간,도전류형위N형.박막중Sn화S분별정+2화-2개,Zn현시+2개,이간극화체위량충상태존재우SnS중,대박막도전성기개선작용적시간극태적Zn리자.
