激光杂志
激光雜誌
격광잡지
LASER JOURNAL
2012年
2期
8-10
,共3页
谢军华%刘伟平%黄红斌%陈舜儿
謝軍華%劉偉平%黃紅斌%陳舜兒
사군화%류위평%황홍빈%진순인
半导体激光器驱动%窄脉冲大电流：高速开关%电容充放电：Multisim仿真%寄生参数
半導體激光器驅動%窄脈遲大電流：高速開關%電容充放電：Multisim倣真%寄生參數
반도체격광기구동%착맥충대전류：고속개관%전용충방전：Multisim방진%기생삼수
laser diode driver%narrow pulse width and high peak current%high-speed switch%capacitor charge and discharge%Multisim simulation%parasitic parameter
设计出了一种窄脉冲大电流的半导体脉冲激光器驱动电路,并对电路进行理论分析以及Multisim仿真研究。相比以往研究,本仿真研究中考虑了电路和LD本身的寄生参数,使得仿真与实际电路更加吻合。该电路结构简单,采用了专用的MOSFET硬件关断加速电路和电容充放电方式向负载提供瞬时窄脉冲大电流的脉冲输出,脉冲宽度低于2.5ns,上升时间低于3.5ns,峰值电流超过20A。
設計齣瞭一種窄脈遲大電流的半導體脈遲激光器驅動電路,併對電路進行理論分析以及Multisim倣真研究。相比以往研究,本倣真研究中攷慮瞭電路和LD本身的寄生參數,使得倣真與實際電路更加吻閤。該電路結構簡單,採用瞭專用的MOSFET硬件關斷加速電路和電容充放電方式嚮負載提供瞬時窄脈遲大電流的脈遲輸齣,脈遲寬度低于2.5ns,上升時間低于3.5ns,峰值電流超過20A。
설계출료일충착맥충대전류적반도체맥충격광기구동전로,병대전로진행이론분석이급Multisim방진연구。상비이왕연구,본방진연구중고필료전로화LD본신적기생삼수,사득방진여실제전로경가문합。해전로결구간단,채용료전용적MOSFET경건관단가속전로화전용충방전방식향부재제공순시착맥충대전류적맥충수출,맥충관도저우2.5ns,상승시간저우3.5ns,봉치전류초과20A。
Designed a narrow pulse width and high peak current pulse laser diode driver circuit,and the circuits have been analyzed,Multisim simulated.By contrast,the simulation took account the circuit and LD parasitic parameters,making the simulation more consistent with the actual circuit.The circuit structure is simple,circuit of the high speed switching part adopts the special MOSFET hardware acceleration shut off the circuit,as the energy storage,using capacitor charging and discharging way to provide instantaneous narrow pulse and large curront pulse output,pulse width are below 2.5 ns and rise time are below 3.5 ns,peak current more than 20 A.
