西南交通大学学报
西南交通大學學報
서남교통대학학보
JOURNAL OF SOUTHWEST JIAOTONG UNIVERSITY
2012年
6期
1015-1020
,共6页
代国定%马晓辉%欧健%薛超耀%马任月%卢晶
代國定%馬曉輝%歐健%薛超耀%馬任月%盧晶
대국정%마효휘%구건%설초요%마임월%로정
有源功率因数校正%临界导通模式%总谐波失真%BCD工艺
有源功率因數校正%臨界導通模式%總諧波失真%BCD工藝
유원공솔인수교정%림계도통모식%총해파실진%BCD공예
为抑制谐波对公共电网的污染、提高电能利用率,针对中小功率电器功率因数校正的需要,设计了一种基于Boost型拓扑结构的有源功率因数校正控制芯片.该芯片采用临界导通模式控制,加入总谐波失真优化电路,解决了输入电流过零处的交越失真问题.设计了带双模式过压检测的电压反馈电路,实现了对整个系统的快速瞬态响应和异常保护.整个电路采用CSMC 0.5 μm BCD工艺设计,芯片面积仅1.36 mm2.基于该芯片,设计了80 W功率因数校正电路.测试结果表明:在220 V交流输入、满负载条件下,电流THD(总谐波失真)为3.1%,功率因数达0.997,效率为96.8%,表明该芯片很好地实现了功率因数校正功能.
為抑製諧波對公共電網的汙染、提高電能利用率,針對中小功率電器功率因數校正的需要,設計瞭一種基于Boost型拓撲結構的有源功率因數校正控製芯片.該芯片採用臨界導通模式控製,加入總諧波失真優化電路,解決瞭輸入電流過零處的交越失真問題.設計瞭帶雙模式過壓檢測的電壓反饋電路,實現瞭對整箇繫統的快速瞬態響應和異常保護.整箇電路採用CSMC 0.5 μm BCD工藝設計,芯片麵積僅1.36 mm2.基于該芯片,設計瞭80 W功率因數校正電路.測試結果錶明:在220 V交流輸入、滿負載條件下,電流THD(總諧波失真)為3.1%,功率因數達0.997,效率為96.8%,錶明該芯片很好地實現瞭功率因數校正功能.
위억제해파대공공전망적오염、제고전능이용솔,침대중소공솔전기공솔인수교정적수요,설계료일충기우Boost형탁복결구적유원공솔인수교정공제심편.해심편채용림계도통모식공제,가입총해파실진우화전로,해결료수입전류과령처적교월실진문제.설계료대쌍모식과압검측적전압반궤전로,실현료대정개계통적쾌속순태향응화이상보호.정개전로채용CSMC 0.5 μm BCD공예설계,심편면적부1.36 mm2.기우해심편,설계료80 W공솔인수교정전로.측시결과표명:재220 V교류수입、만부재조건하,전류THD(총해파실진)위3.1%,공솔인수체0.997,효솔위96.8%,표명해심편흔호지실현료공솔인수교정공능.