耐火与石灰
耐火與石灰
내화여석회
REFRACTORIES & LIME
2013年
3期
44-50
,共7页
薛海涛(编译)%王晓阳(校)
薛海濤(編譯)%王曉暘(校)
설해도(편역)%왕효양(교)
显微结构%扩散%氮化物%结构
顯微結構%擴散%氮化物%結構
현미결구%확산%담화물%결구
氮化硅-氮化钛陶瓷的氧化行为是建立在对其微观结构的观察，对这种氧化模型现象进行了描述，并对其氧化动力学模型进行研究。当温度＜1000℃，只有TiN相被氧化。此氧化过程是由氧气通过TiO2扩散来控制的，由氧化动力学抛物线方程来描述。超过1000℃的过程是非常复杂的，那是因为同时发生Si3 N4和TiN相的两种氧化反应。三种氧化模型都被清晰的扩散机理所控制，是接连发生的。第1步，Si3 N4和TiN相被独立的氧化，它们分别被氧化为SiO2和TiO2相。 Si3 N4的氧化是由氧通过SiO2扩散控制的，而TiN的氧化由钛通过TiO2扩散所控制。第2步，TiN的氧化被氧通过TiO2扩散控制，而通过SiO2被氧化形成Si3 N4。第3步，TiN和Si3 N4的氧化由氧通过二氧化硅层扩散控制。动力学方程可以由这三种氧化模型的任意一种决定。
氮化硅-氮化鈦陶瓷的氧化行為是建立在對其微觀結構的觀察，對這種氧化模型現象進行瞭描述，併對其氧化動力學模型進行研究。噹溫度＜1000℃，隻有TiN相被氧化。此氧化過程是由氧氣通過TiO2擴散來控製的，由氧化動力學拋物線方程來描述。超過1000℃的過程是非常複雜的，那是因為同時髮生Si3 N4和TiN相的兩種氧化反應。三種氧化模型都被清晰的擴散機理所控製，是接連髮生的。第1步，Si3 N4和TiN相被獨立的氧化，它們分彆被氧化為SiO2和TiO2相。 Si3 N4的氧化是由氧通過SiO2擴散控製的，而TiN的氧化由鈦通過TiO2擴散所控製。第2步，TiN的氧化被氧通過TiO2擴散控製，而通過SiO2被氧化形成Si3 N4。第3步，TiN和Si3 N4的氧化由氧通過二氧化硅層擴散控製。動力學方程可以由這三種氧化模型的任意一種決定。
담화규-담화태도자적양화행위시건립재대기미관결구적관찰，대저충양화모형현상진행료묘술，병대기양화동역학모형진행연구。당온도＜1000℃，지유TiN상피양화。차양화과정시유양기통과TiO2확산래공제적，유양화동역학포물선방정래묘술。초과1000℃적과정시비상복잡적，나시인위동시발생Si3 N4화TiN상적량충양화반응。삼충양화모형도피청석적확산궤리소공제，시접련발생적。제1보，Si3 N4화TiN상피독립적양화，타문분별피양화위SiO2화TiO2상。 Si3 N4적양화시유양통과SiO2확산공제적，이TiN적양화유태통과TiO2확산소공제。제2보，TiN적양화피양통과TiO2확산공제，이통과SiO2피양화형성Si3 N4。제3보，TiN화Si3 N4적양화유양통과이양화규층확산공제。동역학방정가이유저삼충양화모형적임의일충결정。
