电子信息对抗技术
電子信息對抗技術
전자신식대항기술
ELECTRONIC INFORMATION WARFARE TECHNOLOGY
2013年
2期
72-76
,共5页
MMIC技术%低附加相移%数控衰减器%ADS仿真软件
MMIC技術%低附加相移%數控衰減器%ADS倣真軟件
MMIC기술%저부가상이%수공쇠감기%ADS방진연건
在简要介绍MMIC技术的基础上论述了使用ADS仿真软件设计超低附加相移0.5GHz～18GHz六位数控衰减芯片的方法.该衰减芯片由相对独立的六位衰减单元级联而成,在0.5GHz～18GHz频带范围内,插入损耗小于5dB,衰减精度不大于±(0.2+10％A)dB；步进为0.5dB;驻波不大于1.5；附加相移不大于±3.5.；电路芯片尺寸为2.4mm×1.2mm×0.1mm.采用TTL电平逻辑控制,开关速度小于20ns.芯片背面既是直流地也是射频地,可广泛用于相控阵系统.
在簡要介紹MMIC技術的基礎上論述瞭使用ADS倣真軟件設計超低附加相移0.5GHz～18GHz六位數控衰減芯片的方法.該衰減芯片由相對獨立的六位衰減單元級聯而成,在0.5GHz～18GHz頻帶範圍內,插入損耗小于5dB,衰減精度不大于±(0.2+10％A)dB；步進為0.5dB;駐波不大于1.5；附加相移不大于±3.5.；電路芯片呎吋為2.4mm×1.2mm×0.1mm.採用TTL電平邏輯控製,開關速度小于20ns.芯片揹麵既是直流地也是射頻地,可廣汎用于相控陣繫統.
재간요개소MMIC기술적기출상논술료사용ADS방진연건설계초저부가상이0.5GHz～18GHz육위수공쇠감심편적방법.해쇠감심편유상대독립적육위쇠감단원급련이성,재0.5GHz～18GHz빈대범위내,삽입손모소우5dB,쇠감정도불대우±(0.2+10％A)dB；보진위0.5dB;주파불대우1.5；부가상이불대우±3.5.；전로심편척촌위2.4mm×1.2mm×0.1mm.채용TTL전평라집공제,개관속도소우20ns.심편배면기시직류지야시사빈지,가엄범용우상공진계통.
