微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
94-98
,共5页
抗辐射设计加固%逻辑电路%SiGe HBT
抗輻射設計加固%邏輯電路%SiGe HBT
항복사설계가고%라집전로%SiGe HBT
微电子抗辐射设计加固(Radiation Hardening By Design,RHBD)是指在电路设计中采用特殊版图或电路结构达到抗辐射电路的性能要求,且该电路应能使用标准商用生产线的工艺技术进行制造.论述了几种采用SiGe异质结双极晶体管(HBT)的逻辑电路设计加固技术.
微電子抗輻射設計加固(Radiation Hardening By Design,RHBD)是指在電路設計中採用特殊版圖或電路結構達到抗輻射電路的性能要求,且該電路應能使用標準商用生產線的工藝技術進行製造.論述瞭幾種採用SiGe異質結雙極晶體管(HBT)的邏輯電路設計加固技術.
미전자항복사설계가고(Radiation Hardening By Design,RHBD)시지재전로설계중채용특수판도혹전로결구체도항복사전로적성능요구,차해전로응능사용표준상용생산선적공예기술진행제조.논술료궤충채용SiGe이질결쌍겁정체관(HBT)적라집전로설계가고기술.
