微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
90-93
,共4页
曹华敏%刘鸣%陈虹%郑翔%王聪%王志华
曹華敏%劉鳴%陳虹%鄭翔%王聰%王誌華
조화민%류명%진홍%정상%왕총%왕지화
SRAM%阵列划分%两级译码%灵敏放大器%编译器
SRAM%陣列劃分%兩級譯碼%靈敏放大器%編譯器
SRAM%진렬화분%량급역마%령민방대기%편역기
SRAM编译器一般需要配置具有各种字宽、各种容量的SRAM.针对这种需求,SRAM阵列和外围电路需要设计成具有可配置性、可复用性的结构.使用0.525 μm2的6管存储单元,采用阵列划分、两级译码和具有本地时序的灵敏放大器,实现了适用于编译器的高速SRAM设计.基于SMIC 65 nm CMOS工艺,对512 kb的SRAM进行流片验证.测试结果表明,该SRAM在1.2V工作电压下可实现1.06 ns的高速访问时间.
SRAM編譯器一般需要配置具有各種字寬、各種容量的SRAM.針對這種需求,SRAM陣列和外圍電路需要設計成具有可配置性、可複用性的結構.使用0.525 μm2的6管存儲單元,採用陣列劃分、兩級譯碼和具有本地時序的靈敏放大器,實現瞭適用于編譯器的高速SRAM設計.基于SMIC 65 nm CMOS工藝,對512 kb的SRAM進行流片驗證.測試結果錶明,該SRAM在1.2V工作電壓下可實現1.06 ns的高速訪問時間.
SRAM편역기일반수요배치구유각충자관、각충용량적SRAM.침대저충수구,SRAM진렬화외위전로수요설계성구유가배치성、가복용성적결구.사용0.525 μm2적6관존저단원,채용진렬화분、량급역마화구유본지시서적령민방대기,실현료괄용우편역기적고속SRAM설계.기우SMIC 65 nm CMOS공예,대512 kb적SRAM진행류편험증.측시결과표명,해SRAM재1.2V공작전압하가실현1.06 ns적고속방문시간.
