安徽大学学报（自然科学版）
安徽大學學報（自然科學版）
안휘대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF ANHUI UNIVERSITY(NATURAL SCIENCES EDITION)
2013年
6期
78-88
,共11页
阮林伟%朱玉俊%裘灵光%卢运祥
阮林偉%硃玉俊%裘靈光%盧運祥
원림위%주옥준%구령광%로운상
C3N4%第一性原理%CASTEP
C3N4%第一性原理%CASTEP
C3N4%제일성원리%CASTEP
C3N4%First-principles%CASTEP
通过第一性原理方法计算得到α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N[J]4、Pseudocubic-C3N4、Graphitic-C3N4的光学及电学性质.结果表明,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4为间接带隙半导体,Pseudocubic-C3N4与Graphitic-C3N4为直接带隙半导体,它们的带隙依次减小,分别为3.886、3.273、3.023、2.592、1.260 eV.光学性质显示,C3N4的光吸收有2个吸收峰,而且都在紫外光区,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4、Pseudocubic-C3N4对应的是σ的跃迁,Graphitic-C3N4对应的是σ跃迁和π跃迁.C3N4的光导率谱显示,C3N4具有较宽的光导率响应区间,且有较大的峰值,其中Pseudocubic-C3N4的峰值最大,说明它的光导性能最强.
通過第一性原理方法計算得到α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N[J]4、Pseudocubic-C3N4、Graphitic-C3N4的光學及電學性質.結果錶明,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4為間接帶隙半導體,Pseudocubic-C3N4與Graphitic-C3N4為直接帶隙半導體,它們的帶隙依次減小,分彆為3.886、3.273、3.023、2.592、1.260 eV.光學性質顯示,C3N4的光吸收有2箇吸收峰,而且都在紫外光區,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4、Pseudocubic-C3N4對應的是σ的躍遷,Graphitic-C3N4對應的是σ躍遷和π躍遷.C3N4的光導率譜顯示,C3N4具有較寬的光導率響應區間,且有較大的峰值,其中Pseudocubic-C3N4的峰值最大,說明它的光導性能最彊.
통과제일성원리방법계산득도α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N[J]4、Pseudocubic-C3N4、Graphitic-C3N4적광학급전학성질.결과표명,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4위간접대극반도체,Pseudocubic-C3N4여Graphitic-C3N4위직접대극반도체,타문적대극의차감소,분별위3.886、3.273、3.023、2.592、1.260 eV.광학성질현시,C3N4적광흡수유2개흡수봉,이차도재자외광구,α-C3N4、β-C3N4、Cubic-C3N4、Pseudocubic-C3N4대응적시σ적약천,Graphitic-C3N4대응적시σ약천화π약천.C3N4적광도솔보현시,C3N4구유교관적광도솔향응구간,차유교대적봉치,기중Pseudocubic-C3N4적봉치최대,설명타적광도성능최강.
