电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2012年
1期
114-116
,共3页
高一星%胡冬青%贾云鹏%吴郁
高一星%鬍鼕青%賈雲鵬%吳鬱
고일성%호동청%가운붕%오욱
金属氧化物场效应晶体管%单粒子烧毁%二维数值模拟
金屬氧化物場效應晶體管%單粒子燒燬%二維數值模擬
금속양화물장효응정체관%단입자소훼%이유수치모의
在分析了单粒子烧毁(SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素.仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可提高器件负阻转折临界电流,高掺杂缓冲层可改善器件二次击穿电压,据此提出一种多缓冲层结构,通过优化掺杂浓度和厚度,使器件的抗SEB能力得到了显著提高.仿真结果显示,采用三缓冲层结构,二次击穿电压近似为无缓冲结构的3倍,负阻转折临界电流提高近30倍.
在分析瞭單粒子燒燬(SEB)物理機製及相應倣真模型的基礎上,研究瞭無緩遲層MOSFET準靜態擊穿特性麯線,明確瞭影響器件抗SEB能力的參數及決定因素.倣真研究瞭單緩遲層結構MOSFET,錶明低摻雜緩遲層可提高器件負阻轉摺臨界電流,高摻雜緩遲層可改善器件二次擊穿電壓,據此提齣一種多緩遲層結構,通過優化摻雜濃度和厚度,使器件的抗SEB能力得到瞭顯著提高.倣真結果顯示,採用三緩遲層結構,二次擊穿電壓近似為無緩遲結構的3倍,負阻轉摺臨界電流提高近30倍.
재분석료단입자소훼(SEB)물리궤제급상응방진모형적기출상,연구료무완충층MOSFET준정태격천특성곡선,명학료영향기건항SEB능력적삼수급결정인소.방진연구료단완충층결구MOSFET,표명저참잡완충층가제고기건부조전절림계전류,고참잡완충층가개선기건이차격천전압,거차제출일충다완충층결구,통과우화참잡농도화후도,사기건적항SEB능력득도료현저제고.방진결과현시,채용삼완충층결구,이차격천전압근사위무완충결구적3배,부조전절림계전류제고근30배.
