电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2012年
12期
81-83
,共3页
王青鹏%江滢%敖金平%王德君
王青鵬%江瀅%敖金平%王德君
왕청붕%강형%오금평%왕덕군
金属氧化层半导体场效应晶体管%结构%表征
金屬氧化層半導體場效應晶體管%結構%錶徵
금속양화층반도체장효응정체관%결구%표정
探讨了GaN MOSFET的几种实现方法及其原理,采用标准的光刻剥离工艺,成功设计并制作出了3种不同结构的GaN MOSFET,最后对其沟道迁移率及界面态密度等进行了表征,并对实验结果中出现的一些现象进行了分析.实验结果表明,采用掺杂AlGaN异质结结构的GaN MOSFET,其沟道迁移率达到151.1 cm2·V-1·s-1,界面态密度达1.31×1011个/(cm2·eV),是一种较理想的GaN MOSFET结构.
探討瞭GaN MOSFET的幾種實現方法及其原理,採用標準的光刻剝離工藝,成功設計併製作齣瞭3種不同結構的GaN MOSFET,最後對其溝道遷移率及界麵態密度等進行瞭錶徵,併對實驗結果中齣現的一些現象進行瞭分析.實驗結果錶明,採用摻雜AlGaN異質結結構的GaN MOSFET,其溝道遷移率達到151.1 cm2·V-1·s-1,界麵態密度達1.31×1011箇/(cm2·eV),是一種較理想的GaN MOSFET結構.
탐토료GaN MOSFET적궤충실현방법급기원리,채용표준적광각박리공예,성공설계병제작출료3충불동결구적GaN MOSFET,최후대기구도천이솔급계면태밀도등진행료표정,병대실험결과중출현적일사현상진행료분석.실험결과표명,채용참잡AlGaN이질결결구적GaN MOSFET,기구도천이솔체도151.1 cm2·V-1·s-1,계면태밀도체1.31×1011개/(cm2·eV),시일충교이상적GaN MOSFET결구.
