电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2012年
12期
77-80
,共4页
李祥生%黄立巍%郭莎莎%许峰
李祥生%黃立巍%郭莎莎%許峰
리상생%황립외%곽사사%허봉
晶体管%开关特性%反向恢复%封装
晶體管%開關特性%反嚮恢複%封裝
정체관%개관특성%반향회복%봉장
分析讨论了共源共栅级联结构GaN晶体管的工作机理,研究了影响开关速度的主要因素,提出了驱动电路的设计方法.分析了级联GaN HEMT反向恢复电荷的产生和影响因素,并与SiC二极管进行比较.通过器件开关特性测试平台,分别将级联GaN HEMT与CoolMOS进行开关特性对比分析,与SiC二极管进行反向恢复特性对比分析,定量比较了GaN HEMT与CoolMOS和SiC二极管在无桥PFC中的性能.分析验证了器件封装技术对GaN开关性能的影响,指出了高速器件封装技术的发展方向.
分析討論瞭共源共柵級聯結構GaN晶體管的工作機理,研究瞭影響開關速度的主要因素,提齣瞭驅動電路的設計方法.分析瞭級聯GaN HEMT反嚮恢複電荷的產生和影響因素,併與SiC二極管進行比較.通過器件開關特性測試平檯,分彆將級聯GaN HEMT與CoolMOS進行開關特性對比分析,與SiC二極管進行反嚮恢複特性對比分析,定量比較瞭GaN HEMT與CoolMOS和SiC二極管在無橋PFC中的性能.分析驗證瞭器件封裝技術對GaN開關性能的影響,指齣瞭高速器件封裝技術的髮展方嚮.
분석토론료공원공책급련결구GaN정체관적공작궤리,연구료영향개관속도적주요인소,제출료구동전로적설계방법.분석료급련GaN HEMT반향회복전하적산생화영향인소,병여SiC이겁관진행비교.통과기건개관특성측시평태,분별장급련GaN HEMT여CoolMOS진행개관특성대비분석,여SiC이겁관진행반향회복특성대비분석,정량비교료GaN HEMT여CoolMOS화SiC이겁관재무교PFC중적성능.분석험증료기건봉장기술대GaN개관성능적영향,지출료고속기건봉장기술적발전방향.
