电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2012年
12期
69-71
,共3页
金属氧化层半导体界面%欧姆接触%电子回旋共振微波等离子体
金屬氧化層半導體界麵%歐姆接觸%電子迴鏇共振微波等離子體
금속양화층반도체계면%구모접촉%전자회선공진미파등리자체
SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiC MOS器件的关键技术.针对低电阻高稳定的SiC欧姆接触难于形成的问题,采用电子回旋共振(ECR)微波氢等离子体对SiC表面进行预处理,研究了低温退火条件下Ti/4H-SiC欧姆接触特性.Ⅰ-Ⅴ电学测试结果表明,经氢等离子体处理(HPT)后的样品无需退火即可形成欧姆接触,利用圆形传输线模型测得比接触电阻率为2.25×10-3Ω·cm2,随着退火温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃退火后获得最小的比接触电阻率2.07× 10-4Ω·cm2.针对SiC MOS界面态密度过高的问题,采用ECR微波氮氢混合等离子体对SiC MOS界面进行退火处理,Ⅰ-Ⅴ和C-V电学测试结果显示,氮氢混合等离子体处理可在不破坏氧化膜质量的前提下,使费米能级附近的界面态密度降至1.14×1012 cm-2·eV-1.
SiC歐姆接觸技術和MOS界麵鈍化技術是製作SiC MOS器件的關鍵技術.針對低電阻高穩定的SiC歐姆接觸難于形成的問題,採用電子迴鏇共振(ECR)微波氫等離子體對SiC錶麵進行預處理,研究瞭低溫退火條件下Ti/4H-SiC歐姆接觸特性.Ⅰ-Ⅴ電學測試結果錶明,經氫等離子體處理(HPT)後的樣品無需退火即可形成歐姆接觸,利用圓形傳輸線模型測得比接觸電阻率為2.25×10-3Ω·cm2,隨著退火溫度的升高,其歐姆特性逐漸增彊,400℃退火後穫得最小的比接觸電阻率2.07× 10-4Ω·cm2.針對SiC MOS界麵態密度過高的問題,採用ECR微波氮氫混閤等離子體對SiC MOS界麵進行退火處理,Ⅰ-Ⅴ和C-V電學測試結果顯示,氮氫混閤等離子體處理可在不破壞氧化膜質量的前提下,使費米能級附近的界麵態密度降至1.14×1012 cm-2·eV-1.
SiC구모접촉기술화MOS계면둔화기술시제작SiC MOS기건적관건기술.침대저전조고은정적SiC구모접촉난우형성적문제,채용전자회선공진(ECR)미파경등리자체대SiC표면진행예처리,연구료저온퇴화조건하Ti/4H-SiC구모접촉특성.Ⅰ-Ⅴ전학측시결과표명,경경등리자체처리(HPT)후적양품무수퇴화즉가형성구모접촉,이용원형전수선모형측득비접촉전조솔위2.25×10-3Ω·cm2,수착퇴화온도적승고,기구모특성축점증강,400℃퇴화후획득최소적비접촉전조솔2.07× 10-4Ω·cm2.침대SiC MOS계면태밀도과고적문제,채용ECR미파담경혼합등리자체대SiC MOS계면진행퇴화처리,Ⅰ-Ⅴ화C-V전학측시결과현시,담경혼합등리자체처리가재불파배양화막질량적전제하,사비미능급부근적계면태밀도강지1.14×1012 cm-2·eV-1.
