电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2012年
12期
42-45
,共4页
半导体%开关%脉冲功率%重复频率
半導體%開關%脈遲功率%重複頻率
반도체%개관%맥충공솔%중복빈솔
介绍了近年来半导体脉冲功率开关的发展和应用情况,具体包括反向开关晶体管(RSD)、半导体断路开关(SOS)、脉冲晶闸管、功率MOSFET、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和SiC-JFET.描述了专门用于脉冲功率领域的RSD和SOS开关的结构和工作原理,报道了国内外在脉冲晶闸管方面的工程研究及达到的参数,介绍了基于常见电力电子开关功率MOSFET和IGBT制成的脉冲功率装置,并简介了基于宽禁带半导体材料SiC制成的JFET器件的高温封装技术.
介紹瞭近年來半導體脈遲功率開關的髮展和應用情況,具體包括反嚮開關晶體管(RSD)、半導體斷路開關(SOS)、脈遲晶閘管、功率MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和SiC-JFET.描述瞭專門用于脈遲功率領域的RSD和SOS開關的結構和工作原理,報道瞭國內外在脈遲晶閘管方麵的工程研究及達到的參數,介紹瞭基于常見電力電子開關功率MOSFET和IGBT製成的脈遲功率裝置,併簡介瞭基于寬禁帶半導體材料SiC製成的JFET器件的高溫封裝技術.
개소료근년래반도체맥충공솔개관적발전화응용정황,구체포괄반향개관정체관(RSD)、반도체단로개관(SOS)、맥충정갑관、공솔MOSFET、절연책쌍겁형정체관(IGBT)화SiC-JFET.묘술료전문용우맥충공솔영역적RSD화SOS개관적결구화공작원리,보도료국내외재맥충정갑관방면적공정연구급체도적삼수,개소료기우상견전력전자개관공솔MOSFET화IGBT제성적맥충공솔장치,병간개료기우관금대반도체재료SiC제성적JFET기건적고온봉장기술.
