电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2012年
12期
34-38
,共5页
戚丽娜%张景超%刘利峰%赵善麒
慼麗娜%張景超%劉利峰%趙善麒
척려나%장경초%류리봉%조선기
绝缘栅双极型晶体管%双极型晶体管%安全工作区
絕緣柵雙極型晶體管%雙極型晶體管%安全工作區
절연책쌍겁형정체관%쌍겁형정체관%안전공작구
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(即MOSFET)合成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MOSFET的高输入阻抗及BJT的低导通压降,以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点.若想继续提升IGBT性能和可靠性,不断降低IGBT制造成本,让国产IGBT跟上世界领先水平,需深刻理解IGBT的发展历程,清晰认识自身的优势与不足,透彻掌握领先技术的精髓,投入更多人力、物力研发新方法、新材料,时刻关注世界领先厂家的发展方向及业界需要.在此主要阐述了IGBT的发展历程、国内外现状、目前一些先进的技术方法和新材料及今后的发展方向.
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是由雙極型晶體管(BJT)和絕緣柵型場效應管(即MOSFET)閤成的複閤全控型電壓驅動式功率半導體器件,具有MOSFET的高輸入阻抗及BJT的低導通壓降,以及驅動電路簡單、安全工作區寬等優點.若想繼續提升IGBT性能和可靠性,不斷降低IGBT製造成本,讓國產IGBT跟上世界領先水平,需深刻理解IGBT的髮展歷程,清晰認識自身的優勢與不足,透徹掌握領先技術的精髓,投入更多人力、物力研髮新方法、新材料,時刻關註世界領先廠傢的髮展方嚮及業界需要.在此主要闡述瞭IGBT的髮展歷程、國內外現狀、目前一些先進的技術方法和新材料及今後的髮展方嚮.
절연책쌍겁형정체관(IGBT)시유쌍겁형정체관(BJT)화절연책형장효응관(즉MOSFET)합성적복합전공형전압구동식공솔반도체기건,구유MOSFET적고수입조항급BJT적저도통압강,이급구동전로간단、안전공작구관등우점.약상계속제승IGBT성능화가고성,불단강저IGBT제조성본,양국산IGBT근상세계령선수평,수심각리해IGBT적발전역정,청석인식자신적우세여불족,투철장악령선기술적정수,투입경다인력、물력연발신방법、신재료,시각관주세계령선엄가적발전방향급업계수요.재차주요천술료IGBT적발전역정、국내외현상、목전일사선진적기술방법화신재료급금후적발전방향.
