电力电子技术
電力電子技術
전력전자기술
POWER ELECTRONICS
2013年
1期
104-106
,共3页
杜熠%李璠%曾照洋%郑积斐
杜熠%李璠%曾照洋%鄭積斐
두습%리번%증조양%정적비
绝缘栅双极晶体管%性能退化模型%短路脉冲
絕緣柵雙極晶體管%性能退化模型%短路脈遲
절연책쌍겁정체관%성능퇴화모형%단로맥충
insulated gated bipolar transistor%performance degenerate model%short-circuit pulse
绝缘栅双极晶体管(IGBT)经常工作在过热、过流、过压、高频等条件下,所以当其使用时间积累到一定程度时,极有可能发生性能退化,而IGBT性能退化所引发的设备故障往往会带来巨大的损失.对此,就IGBT的性能退化问题展开相关讨论和研究.首先从理论上分析了IGBT性能退化的原因和机理,然后结合PXI实验平台和相关驱动电路,对GT5J301型IGBT进行了性能退化加速实验,分析了反复短路脉冲应力冲击对其造成的影响,最后根据实验结果建立性能退化数学模型,对实验结果进行曲线拟合,得出性能退化的规律.
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)經常工作在過熱、過流、過壓、高頻等條件下,所以噹其使用時間積纍到一定程度時,極有可能髮生性能退化,而IGBT性能退化所引髮的設備故障往往會帶來巨大的損失.對此,就IGBT的性能退化問題展開相關討論和研究.首先從理論上分析瞭IGBT性能退化的原因和機理,然後結閤PXI實驗平檯和相關驅動電路,對GT5J301型IGBT進行瞭性能退化加速實驗,分析瞭反複短路脈遲應力遲擊對其造成的影響,最後根據實驗結果建立性能退化數學模型,對實驗結果進行麯線擬閤,得齣性能退化的規律.
절연책쌍겁정체관(IGBT)경상공작재과열、과류、과압、고빈등조건하,소이당기사용시간적루도일정정도시,겁유가능발생성능퇴화,이IGBT성능퇴화소인발적설비고장왕왕회대래거대적손실.대차,취IGBT적성능퇴화문제전개상관토론화연구.수선종이론상분석료IGBT성능퇴화적원인화궤리,연후결합PXI실험평태화상관구동전로,대GT5J301형IGBT진행료성능퇴화가속실험,분석료반복단로맥충응력충격대기조성적영향,최후근거실험결과건립성능퇴화수학모형,대실험결과진행곡선의합,득출성능퇴화적규률.
