新型工业化
新型工業化
신형공업화
New Industrialization Straregy
2011年
10期
74-78
,共5页
何寒冰%杨林安%郝跃%武小虎%梅楠
何寒冰%楊林安%郝躍%武小虎%梅楠
하한빙%양림안%학약%무소호%매남
GaN共振隧穿二极管%AlGaN/GaN异质结%界面陷阱
GaN共振隧穿二極管%AlGaN/GaN異質結%界麵陷阱
GaN공진수천이겁관%AlGaN/GaN이질결%계면함정
GaN Resonant tunneling diode%AlGaN/GaN Heterojunction%interface trap
本文利用Silvaco软件对GaN共振隧穿二极管（GaN RTD）进行仿真，重点考虑了界面陷阱密度对GaN RTD量子阱性能及负阻特性的影响。结果显示，当密度大于5×1010 cm-2时，器件的负阻特性几乎消失；当密度在5×106 cm-2至5×109 cm-2时，器件负阻特性会随着测量次数的增加而退化。同时结合Hspice，对由GaN RTD构成的THz振荡器进行仿真，首次得到了陷阱密度对振荡器输出功率和RF转化效率交流特性影响的定量结果。
本文利用Silvaco軟件對GaN共振隧穿二極管（GaN RTD）進行倣真，重點攷慮瞭界麵陷阱密度對GaN RTD量子阱性能及負阻特性的影響。結果顯示，噹密度大于5×1010 cm-2時，器件的負阻特性幾乎消失；噹密度在5×106 cm-2至5×109 cm-2時，器件負阻特性會隨著測量次數的增加而退化。同時結閤Hspice，對由GaN RTD構成的THz振盪器進行倣真，首次得到瞭陷阱密度對振盪器輸齣功率和RF轉化效率交流特性影響的定量結果。
본문이용Silvaco연건대GaN공진수천이겁관（GaN RTD）진행방진，중점고필료계면함정밀도대GaN RTD양자정성능급부조특성적영향。결과현시，당밀도대우5×1010 cm-2시，기건적부조특성궤호소실；당밀도재5×106 cm-2지5×109 cm-2시，기건부조특성회수착측량차수적증가이퇴화。동시결합Hspice，대유GaN RTD구성적THz진탕기진행방진，수차득도료함정밀도대진탕기수출공솔화RF전화효솔교류특성영향적정량결과。
In this paper, using the Silvaco simulator, GaN RTD is studied. Considering the influence of the interface traps, negative differential resistance (NDR) of RTD decreases with consecutive scans when the trap density between 5×106 cm-2and 5×109 cm-2, over 5E10 cm-2, the NDR almost disappears. With the simulation for GaN RTD Terahertz Oscillators, the quantitative results of the electron trapping effect on the rf power and efficiency are firstly got .
