微型机与应用
微型機與應用
미형궤여응용
MICROCOMPUTER & ITS APPLICATIONS
2014年
18期
51-52,55
,共3页
LDO%电容倍增%瞬态响应
LDO%電容倍增%瞬態響應
LDO%전용배증%순태향응
LDO%capcitor multiplier%transient responses
设计了一种基于电容倍增的无电容式 LDO ，将电容倍增模块嵌入到了误差运算放大器的第一级，提升了系统的环路带宽，有良好的瞬态响应。电路通过0.13μm 标准 CMOS 工艺仿真实现，仿真结果显示，系统静态功耗为42μW ，当负载从0~50 mA 变化时，电压最大波动为87 mV ，建立时间为2.5μs。
設計瞭一種基于電容倍增的無電容式 LDO ，將電容倍增模塊嵌入到瞭誤差運算放大器的第一級，提升瞭繫統的環路帶寬，有良好的瞬態響應。電路通過0.13μm 標準 CMOS 工藝倣真實現，倣真結果顯示，繫統靜態功耗為42μW ，噹負載從0~50 mA 變化時，電壓最大波動為87 mV ，建立時間為2.5μs。
설계료일충기우전용배증적무전용식 LDO ，장전용배증모괴감입도료오차운산방대기적제일급，제승료계통적배로대관，유량호적순태향응。전로통과0.13μm 표준 CMOS 공예방진실현，방진결과현시，계통정태공모위42μW ，당부재종0~50 mA 변화시，전압최대파동위87 mV ，건립시간위2.5μs。
A capacitor-less LDO based on capacitor multiplier is proposed in this paper. The capacitor multiplier is embedded into the first stage of the error amplifier, and the GBW of the LDO is enhanced and the transient responses are improved. The circuit is simulated in a 0.13μm standard CMOS process and the power is 42μW. When the load current changes from 0 to 50 mA, the maxium overshot voltage is 87 mV while the setting time is only 2.5μs.
