微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
130-133
,共4页
龚鸿雁%卜建辉%姜一波%王帅%杜寰%韩郑生
龔鴻雁%蔔建輝%薑一波%王帥%杜寰%韓鄭生
공홍안%복건휘%강일파%왕수%두환%한정생
LDMOS%漂移区电阻%大信号模型%自加热效应
LDMOS%漂移區電阻%大信號模型%自加熱效應
LDMOS%표이구전조%대신호모형%자가열효응
提出了一个基于BSIM3的LDMOS大信号模型.LDMOS晶体管分为本征MOS晶体管和漂移区电阻两部分,本征MOS晶体管采用BSIM3模型,漂移区电阻采用一个随栅漏电压变化的电阻模型.根据ISE仿真结果,可以得到漂移区电阻模型.模型考虑自加热效应后,经过参数提取,模拟数据可以很好地与实际器件的测试数据相吻合,说明模型可用于LDMOS功率器件的电路仿真.
提齣瞭一箇基于BSIM3的LDMOS大信號模型.LDMOS晶體管分為本徵MOS晶體管和漂移區電阻兩部分,本徵MOS晶體管採用BSIM3模型,漂移區電阻採用一箇隨柵漏電壓變化的電阻模型.根據ISE倣真結果,可以得到漂移區電阻模型.模型攷慮自加熱效應後,經過參數提取,模擬數據可以很好地與實際器件的測試數據相吻閤,說明模型可用于LDMOS功率器件的電路倣真.
제출료일개기우BSIM3적LDMOS대신호모형.LDMOS정체관분위본정MOS정체관화표이구전조량부분,본정MOS정체관채용BSIM3모형,표이구전조채용일개수책루전압변화적전조모형.근거ISE방진결과,가이득도표이구전조모형.모형고필자가열효응후,경과삼수제취,모의수거가이흔호지여실제기건적측시수거상문합,설명모형가용우LDMOS공솔기건적전로방진.
