微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
125-129
,共5页
周谦%杨谟华%王向展%李竞春%罗谦
週謙%楊謨華%王嚮展%李競春%囉謙
주겸%양모화%왕향전%리경춘%라겸
锗锡合金%应变锗沟道%金属-氧化物-半导体场效应晶体管%离子注入%快速热退火
鍺錫閤金%應變鍺溝道%金屬-氧化物-半導體場效應晶體管%離子註入%快速熱退火
타석합금%응변타구도%금속-양화물-반도체장효응정체관%리자주입%쾌속열퇴화
针对源漏诱生应变Ge沟道p-MOSFET的发展趋势,开发了一种基于离子注入与快速热退火的GeSn合金生长新技术,并进行了二次离子质谱、X射线衍射、透射电子显微镜和方块电阻等测试.结果表明,采用快速热退火,可将单晶Ge衬底中的Sn原子激发至替位式位置,形成GeSn合金.当退火温度为400℃时,Sn原子激活率为100％,其峰值浓度固定为1×1021 cm-3,与Sn的初始注入剂量无关.该技术与现有CMOS工艺兼容,附加成本低,适用于单轴压应变Ge沟道MOSFET的大规模生产.
針對源漏誘生應變Ge溝道p-MOSFET的髮展趨勢,開髮瞭一種基于離子註入與快速熱退火的GeSn閤金生長新技術,併進行瞭二次離子質譜、X射線衍射、透射電子顯微鏡和方塊電阻等測試.結果錶明,採用快速熱退火,可將單晶Ge襯底中的Sn原子激髮至替位式位置,形成GeSn閤金.噹退火溫度為400℃時,Sn原子激活率為100％,其峰值濃度固定為1×1021 cm-3,與Sn的初始註入劑量無關.該技術與現有CMOS工藝兼容,附加成本低,適用于單軸壓應變Ge溝道MOSFET的大規模生產.
침대원루유생응변Ge구도p-MOSFET적발전추세,개발료일충기우리자주입여쾌속열퇴화적GeSn합금생장신기술,병진행료이차리자질보、X사선연사、투사전자현미경화방괴전조등측시.결과표명,채용쾌속열퇴화,가장단정Ge츤저중적Sn원자격발지체위식위치,형성GeSn합금.당퇴화온도위400℃시,Sn원자격활솔위100％,기봉치농도고정위1×1021 cm-3,여Sn적초시주입제량무관.해기술여현유CMOS공예겸용,부가성본저,괄용우단축압응변Ge구도MOSFET적대규모생산.
