微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
115-119,124
,共6页
高博%刘刚%王立新%韩郑生%张彦飞%宋李梅
高博%劉剛%王立新%韓鄭生%張彥飛%宋李梅
고박%류강%왕립신%한정생%장언비%송리매
VDMOS%抗辐射加固%总剂量辐射%剂量率辐射%辐射效应
VDMOS%抗輻射加固%總劑量輻射%劑量率輻射%輻射效應
VDMOS%항복사가고%총제량복사%제량솔복사%복사효응
研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同剂量率辐照时随累积剂量的变化关系.实验结果表明,此型号抗辐射加固功率VDMOS器件在高/低剂量率辐照后参数的漂移量相差不大,不具有低剂量率辐射损伤增强效应.认为可以用高剂量率辐照后高温退火的方法评估器件的总剂量辐射损伤.实验结果为该型号抗辐射加固功率VDMOS器件在航空、航天等特殊领域的应用提供了技术支持.
研究瞭抗輻射加固功率VDMOS器件在不同偏置條件下的高/低劑量率輻射損傷效應,探討瞭閾值電壓、擊穿電壓、導通電阻等電參數在不同劑量率輻照時隨纍積劑量的變化關繫.實驗結果錶明,此型號抗輻射加固功率VDMOS器件在高/低劑量率輻照後參數的漂移量相差不大,不具有低劑量率輻射損傷增彊效應.認為可以用高劑量率輻照後高溫退火的方法評估器件的總劑量輻射損傷.實驗結果為該型號抗輻射加固功率VDMOS器件在航空、航天等特殊領域的應用提供瞭技術支持.
연구료항복사가고공솔VDMOS기건재불동편치조건하적고/저제량솔복사손상효응,탐토료역치전압、격천전압、도통전조등전삼수재불동제량솔복조시수루적제량적변화관계.실험결과표명,차형호항복사가고공솔VDMOS기건재고/저제량솔복조후삼수적표이량상차불대,불구유저제량솔복사손상증강효응.인위가이용고제량솔복조후고온퇴화적방법평고기건적총제량복사손상.실험결과위해형호항복사가고공솔VDMOS기건재항공、항천등특수영역적응용제공료기술지지.
