微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
76-80
,共5页
魏晓敏%高德远%魏廷存%陈楠
魏曉敏%高德遠%魏廷存%陳楠
위효민%고덕원%위정존%진남
静态随机存取存储器%辐射加固%电离总剂量辐射
靜態隨機存取存儲器%輻射加固%電離總劑量輻射
정태수궤존취존저기%복사가고%전리총제량복사
在空间和核辐射环境下,电离总剂量辐射(TID)效应严重影响采用商用CMOS工艺的SRAM的可靠性和寿命.针对SRAM,设计了四种TID加固的存储单元,分析对比了四个加固单元对TID,单粒子闩锁、单粒子翻转三种SRAM中常见辐射效应的抵御水平以及加固单元的面积和速度.加固SRAM单元的抗TID水平得到极大提高,同时,抗单粒子效应水平、面积、速度也达到一定的要求.这些单元可用于实现基于商用CMOS工艺并具有高抗辐射性能的SRAM.
在空間和覈輻射環境下,電離總劑量輻射(TID)效應嚴重影響採用商用CMOS工藝的SRAM的可靠性和壽命.針對SRAM,設計瞭四種TID加固的存儲單元,分析對比瞭四箇加固單元對TID,單粒子閂鎖、單粒子翻轉三種SRAM中常見輻射效應的牴禦水平以及加固單元的麵積和速度.加固SRAM單元的抗TID水平得到極大提高,同時,抗單粒子效應水平、麵積、速度也達到一定的要求.這些單元可用于實現基于商用CMOS工藝併具有高抗輻射性能的SRAM.
재공간화핵복사배경하,전리총제량복사(TID)효응엄중영향채용상용CMOS공예적SRAM적가고성화수명.침대SRAM,설계료사충TID가고적존저단원,분석대비료사개가고단원대TID,단입자산쇄、단입자번전삼충SRAM중상견복사효응적저어수평이급가고단원적면적화속도.가고SRAM단원적항TID수평득도겁대제고,동시,항단입자효응수평、면적、속도야체도일정적요구.저사단원가용우실현기우상용CMOS공예병구유고항복사성능적SRAM.
