微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
41-46
,共6页
谢磊%刘宝宝%谢淼%袁圣越%石春琦%张润曦
謝磊%劉寶寶%謝淼%袁聖越%石春琦%張潤晞
사뢰%류보보%사묘%원골월%석춘기%장윤희
压控振荡器%调谐增益%低相位噪声%开关变容管阵列%开关电容阵列
壓控振盪器%調諧增益%低相位譟聲%開關變容管陣列%開關電容陣列
압공진탕기%조해증익%저상위조성%개관변용관진렬%개관전용진렬
基于标准0.18μm RF-CMOS工艺,实现了一个可应用于UHF RFID阅读器的低相位噪声、线性化调谐增益(Kvco)、恒定子带间距的压控振荡器.该振荡器包括开关变容管阵列和开关电容阵列,实现了调谐增益线性化及子带间距恒定化.仿真结果表明,当压控振荡器在1.52GHz至2.16 GHz(35.5％)的频率范围变化时,调谐增益从40 MHz/V变化到51 MHz/V(21.5％),子带间距变化为34 MHz到51 MHz,相位噪声在1.8 GHz时为-133.8 dBc/Hz@1MHz.在低压差线性稳压器(LDO)输出电压为2.5V的条件下,整个电路消耗电流约5.2mA.
基于標準0.18μm RF-CMOS工藝,實現瞭一箇可應用于UHF RFID閱讀器的低相位譟聲、線性化調諧增益(Kvco)、恆定子帶間距的壓控振盪器.該振盪器包括開關變容管陣列和開關電容陣列,實現瞭調諧增益線性化及子帶間距恆定化.倣真結果錶明,噹壓控振盪器在1.52GHz至2.16 GHz(35.5％)的頻率範圍變化時,調諧增益從40 MHz/V變化到51 MHz/V(21.5％),子帶間距變化為34 MHz到51 MHz,相位譟聲在1.8 GHz時為-133.8 dBc/Hz@1MHz.在低壓差線性穩壓器(LDO)輸齣電壓為2.5V的條件下,整箇電路消耗電流約5.2mA.
기우표준0.18μm RF-CMOS공예,실현료일개가응용우UHF RFID열독기적저상위조성、선성화조해증익(Kvco)、항정자대간거적압공진탕기.해진탕기포괄개관변용관진렬화개관전용진렬,실현료조해증익선성화급자대간거항정화.방진결과표명,당압공진탕기재1.52GHz지2.16 GHz(35.5％)적빈솔범위변화시,조해증익종40 MHz/V변화도51 MHz/V(21.5％),자대간거변화위34 MHz도51 MHz,상위조성재1.8 GHz시위-133.8 dBc/Hz@1MHz.재저압차선성은압기(LDO)수출전압위2.5V적조건하,정개전로소모전류약5.2mA.
