微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
33-36
,共4页
马波%袁凌%曹晓东%倪卫宁%石寅
馬波%袁凌%曹曉東%倪衛寧%石寅
마파%원릉%조효동%예위저%석인
模数转换器%∑-△调制器%开关电容%数字抽取滤波器
模數轉換器%∑-△調製器%開關電容%數字抽取濾波器
모수전환기%∑-△조제기%개관전용%수자추취려파기
采用英飞凌0.11 μm CMOS工艺,实现了一种用于音频范围的高精度△-∑ A/D转换器.调制器采用1位量化的5阶单环前馈结构,ADC过采样率为256.A/D转换器模拟调制器工作于5V电压,数字滤波器工作于1.2V电压,整体功耗为20.52 mW,版图面积3.1 mm2.仿真结果显示,设计的A/D转换器在20 kHz信号带宽内达到108.9 dB的信噪失真比,有效位数为18位.
採用英飛凌0.11 μm CMOS工藝,實現瞭一種用于音頻範圍的高精度△-∑ A/D轉換器.調製器採用1位量化的5階單環前饋結構,ADC過採樣率為256.A/D轉換器模擬調製器工作于5V電壓,數字濾波器工作于1.2V電壓,整體功耗為20.52 mW,版圖麵積3.1 mm2.倣真結果顯示,設計的A/D轉換器在20 kHz信號帶寬內達到108.9 dB的信譟失真比,有效位數為18位.
채용영비릉0.11 μm CMOS공예,실현료일충용우음빈범위적고정도△-∑ A/D전환기.조제기채용1위양화적5계단배전궤결구,ADC과채양솔위256.A/D전환기모의조제기공작우5V전압,수자려파기공작우1.2V전압,정체공모위20.52 mW,판도면적3.1 mm2.방진결과현시,설계적A/D전환기재20 kHz신호대관내체도108.9 dB적신조실진비,유효위수위18위.
