微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2013年
1期
5-9
,共5页
程华斌%魏琦%赵南%杨华中
程華斌%魏琦%趙南%楊華中
정화빈%위기%조남%양화중
模数转换器%交织%运放共享%数字校正
模數轉換器%交織%運放共享%數字校正
모수전환기%교직%운방공향%수자교정
介绍了一个面向3G/4G LTE通信及雷达等应用的12位200 MS/s的高速低功耗A/D转换器(ADC).采用交织运放共享技术,可节省功耗,同时减小不同通道之间的增益失配、失调失配和带宽失配,提高ADC的性能.为了提高ADC的高频性能并避免时钟采样偏差带来的两路通道失配问题,采用一个工作在200 MS/s采样频率的统一的采样保持电路.芯片采用HJTC0.18 μm 1P6M CMOS的工艺制造,核心电路面积为1.6×4 (mm2),电源电压2.0V.流片测试结果表明,在4.9 MHz的输入频率下,无杂散动态范围(SFDR)为83.1 dB,信号噪声失真比(SNDR)为59.6 dB,模拟核心电流为120mA,FOM1和FOM2值仅为0.08 pJ/step和1.25 pJ/step.
介紹瞭一箇麵嚮3G/4G LTE通信及雷達等應用的12位200 MS/s的高速低功耗A/D轉換器(ADC).採用交織運放共享技術,可節省功耗,同時減小不同通道之間的增益失配、失調失配和帶寬失配,提高ADC的性能.為瞭提高ADC的高頻性能併避免時鐘採樣偏差帶來的兩路通道失配問題,採用一箇工作在200 MS/s採樣頻率的統一的採樣保持電路.芯片採用HJTC0.18 μm 1P6M CMOS的工藝製造,覈心電路麵積為1.6×4 (mm2),電源電壓2.0V.流片測試結果錶明,在4.9 MHz的輸入頻率下,無雜散動態範圍(SFDR)為83.1 dB,信號譟聲失真比(SNDR)為59.6 dB,模擬覈心電流為120mA,FOM1和FOM2值僅為0.08 pJ/step和1.25 pJ/step.
개소료일개면향3G/4G LTE통신급뢰체등응용적12위200 MS/s적고속저공모A/D전환기(ADC).채용교직운방공향기술,가절성공모,동시감소불동통도지간적증익실배、실조실배화대관실배,제고ADC적성능.위료제고ADC적고빈성능병피면시종채양편차대래적량로통도실배문제,채용일개공작재200 MS/s채양빈솔적통일적채양보지전로.심편채용HJTC0.18 μm 1P6M CMOS적공예제조,핵심전로면적위1.6×4 (mm2),전원전압2.0V.류편측시결과표명,재4.9 MHz적수입빈솔하,무잡산동태범위(SFDR)위83.1 dB,신호조성실진비(SNDR)위59.6 dB,모의핵심전류위120mA,FOM1화FOM2치부위0.08 pJ/step화1.25 pJ/step.
