CAJ | 학술논문

根据多晶硅电池对表面抗反射薄膜设计的需要,基于薄膜反射特征导纳矩阵理论结合电池的背底反射,建立了完善的表面反射和电池吸收计算模型,在已知薄膜复折射率的前提下可给出反射率的精确计算结果.利用该计算模型,设计了多种表面反射结构,其中硅量子点镶嵌氮化硅与二氧化硅组成的双层抗反射薄膜,在AM1.5光谱下其积分反射率最低可达到4.38％；分析了不同硅量子点体积比对于该双层抗反射膜的影响,系统给出了实际生长该双层抗反射层的具体参数,即富硅氮化硅中的Si:N=1:1时即可达到较好的表面抗反射效果.
근거다정규전지대표면항반사박막설계적수요,기우박막반사특정도납구진이론결합전지적배저반사,건립료완선적표면반사화전지흡수계산모형,재이지박막복절사솔적전제하가급출반사솔적정학계산결과.이용해계산모형,설계료다충표면반사결구,기중규양자점양감담화규여이양화규조성적쌍층항반사박막,재AM1.5광보하기적분반사솔최저가체도4.38％；분석료불동규양자점체적비대우해쌍층항반사막적영향,계통급출료실제생장해쌍층항반사층적구체삼수,즉부규담화규중적Si:N=1:1시즉가체도교호적표면항반사효과.