太阳能
太暘能
태양능
SOLAR ENERGY
2013年
1期
32-34
,共3页
龚洪勇%周浪%黄海宾%向昱任%汪已琳%张东华%高江%崔冶青
龔洪勇%週浪%黃海賓%嚮昱任%汪已琳%張東華%高江%崔冶青
공홍용%주랑%황해빈%향욱임%왕이림%장동화%고강%최야청
氢化非晶硅%PECVD%钝化%太阳能级n型硅片
氫化非晶硅%PECVD%鈍化%太暘能級n型硅片
경화비정규%PECVD%둔화%태양능급n형규편
研究了优等化离子体化气相学沉积法(PECVD)在太阳能级n型直拉单晶(Cz)硅衬底上沉积i-a-Si:H薄膜工艺,得到较好的钝化效果.分析了气体流量和温度、气压等工艺参数对薄膜沉积和硅片钝化效果的影响.通过优化参数,钝化后在太阳能级n型Cz硅片(40×40mm)平均少子寿命值在800μs以上,局部在1500μs以上,得到了钝化后平均表面复合速率S＜9.4cm/s的优良钝化效果；若硅片τbulk为2ms,则S＜5.6cm/s.
研究瞭優等化離子體化氣相學沉積法(PECVD)在太暘能級n型直拉單晶(Cz)硅襯底上沉積i-a-Si:H薄膜工藝,得到較好的鈍化效果.分析瞭氣體流量和溫度、氣壓等工藝參數對薄膜沉積和硅片鈍化效果的影響.通過優化參數,鈍化後在太暘能級n型Cz硅片(40×40mm)平均少子壽命值在800μs以上,跼部在1500μs以上,得到瞭鈍化後平均錶麵複閤速率S＜9.4cm/s的優良鈍化效果；若硅片τbulk為2ms,則S＜5.6cm/s.
연구료우등화리자체화기상학침적법(PECVD)재태양능급n형직랍단정(Cz)규츤저상침적i-a-Si:H박막공예,득도교호적둔화효과.분석료기체류량화온도、기압등공예삼수대박막침적화규편둔화효과적영향.통과우화삼수,둔화후재태양능급n형Cz규편(40×40mm)평균소자수명치재800μs이상,국부재1500μs이상,득도료둔화후평균표면복합속솔S＜9.4cm/s적우량둔화효과；약규편τbulk위2ms,칙S＜5.6cm/s.
