MOCVD法生长Ga、P掺杂的ZnO薄膜
MOCVD법생장Ga、P참잡적ZnO박막
Ga-doped and P-doped ZnO Films Grown by MOCVD
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2013年 1期 82-86 ,共5页

    殷伟%张金香%崔夕军%赵旺%王辉%史志峰%董鑫%张宝林%杜国同

    은위%장금향%최석군%조왕%왕휘%사지봉%동흠%장보림%두국동

    MOCVD%ZnO薄膜%Ga、P掺杂 MOCVD%ZnO薄膜%Ga、P摻雜
    MOCVD%ZnO박막%Ga、P참잡
    采用金属有机化学气相沉积法在蓝宝石衬底上制备Ga、P掺杂的ZnO薄膜,分别采用X射线衍射、扫描电子显微镜、霍尔效应测试、光致发光谱对样品进行表征.通过Ga、P掺杂分别得到n、p型ZnO薄膜,n型ZnO薄膜的载流子浓度可以达到1×1019 cm-3,p型ZnO薄膜的载流子浓度达到1.66×1016 cm-3.所制备的ZnO薄膜具有c轴择优生长取向,并且p型ZnO薄膜具有较好的光致发光特性.
    채용금속유궤화학기상침적법재람보석츤저상제비Ga、P참잡적ZnO박막,분별채용X사선연사、소묘전자현미경、곽이효응측시、광치발광보대양품진행표정.통과Ga、P참잡분별득도n、p형ZnO박막,n형ZnO박막적재류자농도가이체도1×1019 cm-3,p형ZnO박막적재류자농도체도1.66×1016 cm-3.소제비적ZnO박막구유c축택우생장취향,병차p형ZnO박막구유교호적광치발광특성.
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