材料工程
材料工程
재료공정
JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING
2014年
4期
46-52
,共7页
刘学杰%魏怀%任元%陆峰%张素慧%银永杰
劉學傑%魏懷%任元%陸峰%張素慧%銀永傑
류학걸%위부%임원%륙봉%장소혜%은영걸
第一性原理%CVD金刚石薄膜%基团%生长机理%吸附演变
第一性原理%CVD金剛石薄膜%基糰%生長機理%吸附縯變
제일성원리%CVD금강석박막%기단%생장궤리%흡부연변
first-principle%CVD diamond film%radical%growth mechanism%adsorption evolution
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究CVD金刚石薄膜(001)表面的生长机理.计算清洁金刚石表面和氢(H)终止金刚石表面的构型.考察H原子和活性基团(C,CH,CH2和CH3)在清洁重构金刚石表面及在单层H终止金刚石表面上的吸附演变.结果表明:清洁金刚石表面发生了对称二聚体重构,H原子终止金刚石表面稳定了金刚石结构;基团在金刚石(001)表面吸附演变过程中,H原子起到激活石墨和萃取表面H原子产生活性位的作用;CH2基团比CH3基团能够更好地提高CVD金刚石薄膜的生长率,是薄膜生长过程中最有效基团;CH基团阻碍了薄膜的生长.
採用基于密度汎函理論的第一性原理方法研究CVD金剛石薄膜(001)錶麵的生長機理.計算清潔金剛石錶麵和氫(H)終止金剛石錶麵的構型.攷察H原子和活性基糰(C,CH,CH2和CH3)在清潔重構金剛石錶麵及在單層H終止金剛石錶麵上的吸附縯變.結果錶明:清潔金剛石錶麵髮生瞭對稱二聚體重構,H原子終止金剛石錶麵穩定瞭金剛石結構;基糰在金剛石(001)錶麵吸附縯變過程中,H原子起到激活石墨和萃取錶麵H原子產生活性位的作用;CH2基糰比CH3基糰能夠更好地提高CVD金剛石薄膜的生長率,是薄膜生長過程中最有效基糰;CH基糰阻礙瞭薄膜的生長.
채용기우밀도범함이론적제일성원리방법연구CVD금강석박막(001)표면적생장궤리.계산청길금강석표면화경(H)종지금강석표면적구형.고찰H원자화활성기단(C,CH,CH2화CH3)재청길중구금강석표면급재단층H종지금강석표면상적흡부연변.결과표명:청길금강석표면발생료대칭이취체중구,H원자종지금강석표면은정료금강석결구;기단재금강석(001)표면흡부연변과정중,H원자기도격활석묵화췌취표면H원자산생활성위적작용;CH2기단비CH3기단능구경호지제고CVD금강석박막적생장솔,시박막생장과정중최유효기단;CH기단조애료박막적생장.
