化学通报（印刷版）
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화학통보（인쇄판）
CHEMISTRY
2013年
8期
745-752
,共8页
SiC%密度泛函理论%反应机理%乙烯
SiC%密度汎函理論%反應機理%乙烯
SiC%밀도범함이론%반응궤리%을희
SiC%DFT%Reaction mechanism%C2H4
在B3LYP/6-311++G(d,p)水平上研究了SiC与乙烯的单重态和三重态反应机理,优化得到了反应物、过渡态、中间体和产物的几何构型;通过振动分析对过渡态和中间体构型进行了确认.在CCSD(T)/cc-pVTZ水平上对计算得到的构型进行了能量校正.计算结果表明,SiC+ C2H4反应在单重态和三重态条件下均可发生,其中单重态反应为主反应通道,1 P5为主产物.
在B3LYP/6-311++G(d,p)水平上研究瞭SiC與乙烯的單重態和三重態反應機理,優化得到瞭反應物、過渡態、中間體和產物的幾何構型;通過振動分析對過渡態和中間體構型進行瞭確認.在CCSD(T)/cc-pVTZ水平上對計算得到的構型進行瞭能量校正.計算結果錶明,SiC+ C2H4反應在單重態和三重態條件下均可髮生,其中單重態反應為主反應通道,1 P5為主產物.
재B3LYP/6-311++G(d,p)수평상연구료SiC여을희적단중태화삼중태반응궤리,우화득도료반응물、과도태、중간체화산물적궤하구형;통과진동분석대과도태화중간체구형진행료학인.재CCSD(T)/cc-pVTZ수평상대계산득도적구형진행료능량교정.계산결과표명,SiC+ C2H4반응재단중태화삼중태조건하균가발생,기중단중태반응위주반응통도,1 P5위주산물.
