液晶与显示
液晶與顯示
액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2014年
4期
548-552
,共5页
刘晓伟%郭会斌%李梁梁%郭总杰%郝昭慧
劉曉偉%郭會斌%李樑樑%郭總傑%郝昭慧
류효위%곽회빈%리량량%곽총걸%학소혜
薄膜晶体管阵列工艺%磁控溅射%纯铝薄膜%小丘%量产良率
薄膜晶體管陣列工藝%磁控濺射%純鋁薄膜%小丘%量產良率
박막정체관진렬공예%자공천사%순려박막%소구%양산량솔
TFT array process%magnetron sputtering%pure Al film%hillock%mass production yield
纯铝薄膜被广泛用作TFT LCD的金属电极,但纯铝薄膜在热工艺中容易产生小丘,对TFT的阵列工艺的良率有较大影响.本文用磁控溅射的方法在不同温度下沉积纯铝薄膜作为薄膜晶体管的栅极,并通过电学检测、扫描电子显微镜和应力测试等方法对不同温度下沉积的纯铝薄膜的小丘生长情况进行了研究.实验结果表明:纯铝成膜温度提高,薄膜的晶粒尺寸增大,退火后产生小丘的密度和尺寸明显降低,温度应力曲线中屈服点温度也相应提高.量产中适当提高成膜温度,可以有效抑制小丘的发生,提高TFT阵列工艺的量产良率.
純鋁薄膜被廣汎用作TFT LCD的金屬電極,但純鋁薄膜在熱工藝中容易產生小丘,對TFT的陣列工藝的良率有較大影響.本文用磁控濺射的方法在不同溫度下沉積純鋁薄膜作為薄膜晶體管的柵極,併通過電學檢測、掃描電子顯微鏡和應力測試等方法對不同溫度下沉積的純鋁薄膜的小丘生長情況進行瞭研究.實驗結果錶明:純鋁成膜溫度提高,薄膜的晶粒呎吋增大,退火後產生小丘的密度和呎吋明顯降低,溫度應力麯線中屈服點溫度也相應提高.量產中適噹提高成膜溫度,可以有效抑製小丘的髮生,提高TFT陣列工藝的量產良率.
순려박막피엄범용작TFT LCD적금속전겁,단순려박막재열공예중용역산생소구,대TFT적진렬공예적량솔유교대영향.본문용자공천사적방법재불동온도하침적순려박막작위박막정체관적책겁,병통과전학검측、소묘전자현미경화응력측시등방법대불동온도하침적적순려박막적소구생장정황진행료연구.실험결과표명:순려성막온도제고,박막적정립척촌증대,퇴화후산생소구적밀도화척촌명현강저,온도응력곡선중굴복점온도야상응제고.양산중괄당제고성막온도,가이유효억제소구적발생,제고TFT진렬공예적양산량솔.
