南华大学学报（自然科学版）
南華大學學報（自然科學版）
남화대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF NANHUA UNIVERSITY(SCIENCE AND TECHNOLOGY)
2014年
3期
76-81
,共6页
胡苹%尹岚%陈铀%李树玮
鬍蘋%尹嵐%陳鈾%李樹瑋
호평%윤람%진유%리수위
分子束外延%双极阻变开关%非易失性
分子束外延%雙極阻變開關%非易失性
분자속외연%쌍겁조변개관%비역실성
molecular beam epitaxy%bipolar resistive switching%nonvolatile
利用等离子体辅助的分子束外延设备在SrTiO3掺Nb(Nb：STO)的衬底上制备了双层的Cu2O/ CuO 薄膜，经过测量其电流电压特性，发现Pt/ Cu2O/ CuO/ Nb：STO 器件的阻变存储特性非常显著，而且可重复程度高，适合多次数据写入与擦除，有望应用于信息存储领域。
利用等離子體輔助的分子束外延設備在SrTiO3摻Nb(Nb：STO)的襯底上製備瞭雙層的Cu2O/ CuO 薄膜，經過測量其電流電壓特性，髮現Pt/ Cu2O/ CuO/ Nb：STO 器件的阻變存儲特性非常顯著，而且可重複程度高，適閤多次數據寫入與抆除，有望應用于信息存儲領域。
이용등리자체보조적분자속외연설비재SrTiO3참Nb(Nb：STO)적츤저상제비료쌍층적Cu2O/ CuO 박막，경과측량기전류전압특성，발현Pt/ Cu2O/ CuO/ Nb：STO 기건적조변존저특성비상현저，이차가중복정도고，괄합다차수거사입여찰제，유망응용우신식존저영역。
In this letter,bilayered Cu2O/CuO thin films were grown on Nb doped SrTiO3 ( Nb:STO ) substrates by plasma assisted molecular beam epitaxy. The current-voltage characteristics of Pt/Cu2 O/CuO/Nb:STO devices show reproducible and pronounced cur-rent-voltage hysteresis which was induced by the CuO/Nb:STO junctions. The device can be used as information storage for its reproducibility and nonvolatility.
