原子能科学技术
原子能科學技術
원자능과학기술
ATOMIC ENERGY SCIENCE AND TECHNOLOGY
2013年
6期
1074-1078
,共5页
罗立力%刘柯钊%罗丽珠%钟永强%李芳芳%肖红
囉立力%劉柯釗%囉麗珠%鐘永彊%李芳芳%肖紅
라립력%류가쇠%라려주%종영강%리방방%초홍
AES%XPS%U2N3+x
AES%XPS%U2N3+x
AES%XPS%U2N3+x
AES%XPS%U2N3+x
采用俄歇电子能谱仪(AES)以及X射线电子能谱仪(XPS)原位研究了室温下铀基氮化层在纯O2气氛中的初始氧化过程.原位氧化过程中U的AES微分谱以及U 4f、N 1s、O 1s谱的变化显示,U2N3+x氧化形成了UNxOy；AES深度剖析结果显示,经18 L以及120 L O2曝露氧化层与氮化层界面处均出现N的富集,表面形成氧化层-富氮层-氮化层的三明治结构.富氮层U原子的AES微分谱中OPV混合峰的峰位远低于氮化层与氧化层,N 1s谱向低能侧移动,表明富氮层主要成分为N/U比较氮化层更高的氮化物.推测U2N3+x的氧化基于O原子对N原子的置换,被置换出的N原子进入邻近晶格使N/U比增大并阻碍O原子向内的进一步扩散.
採用俄歇電子能譜儀(AES)以及X射線電子能譜儀(XPS)原位研究瞭室溫下鈾基氮化層在純O2氣氛中的初始氧化過程.原位氧化過程中U的AES微分譜以及U 4f、N 1s、O 1s譜的變化顯示,U2N3+x氧化形成瞭UNxOy；AES深度剖析結果顯示,經18 L以及120 L O2曝露氧化層與氮化層界麵處均齣現N的富集,錶麵形成氧化層-富氮層-氮化層的三明治結構.富氮層U原子的AES微分譜中OPV混閤峰的峰位遠低于氮化層與氧化層,N 1s譜嚮低能側移動,錶明富氮層主要成分為N/U比較氮化層更高的氮化物.推測U2N3+x的氧化基于O原子對N原子的置換,被置換齣的N原子進入鄰近晶格使N/U比增大併阻礙O原子嚮內的進一步擴散.
채용아헐전자능보의(AES)이급X사선전자능보의(XPS)원위연구료실온하유기담화층재순O2기분중적초시양화과정.원위양화과정중U적AES미분보이급U 4f、N 1s、O 1s보적변화현시,U2N3+x양화형성료UNxOy；AES심도부석결과현시,경18 L이급120 L O2폭로양화층여담화층계면처균출현N적부집,표면형성양화층-부담층-담화층적삼명치결구.부담층U원자적AES미분보중OPV혼합봉적봉위원저우담화층여양화층,N 1s보향저능측이동,표명부담층주요성분위N/U비교담화층경고적담화물.추측U2N3+x적양화기우O원자대N원자적치환,피치환출적N원자진입린근정격사N/U비증대병조애O원자향내적진일보확산.
