上海航天
上海航天
상해항천
AEROSPACE SHANGHAI
2013年
1期
64-67
,共4页
楼建设%宣明%刘伟鑫%吾勤之
樓建設%宣明%劉偉鑫%吾勤之
루건설%선명%류위흠%오근지
NMOS晶体管%电离辐射效应%寄生漏电
NMOS晶體管%電離輻射效應%寄生漏電
NMOS정체관%전리복사효응%기생루전
对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究.给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流-电压(I-V)特性曲线,并对试验现象进行了数值模拟分析.研究结果表明:NMOS晶体管的沟道边缘寄生漏电主要是由电离辐射感生氧化物陷阱电荷在场氧化层中积累造成的；截止辐照偏置下的寄生漏电明显小于导通偏置；与梳形栅和蛇形栅相比,环形栅结构未出现寄生漏电；NMOS晶体管沟道长度越小,寄生漏电就越严重.
對典型MOS器件的溝道邊緣電離輻射寄生漏電進行瞭研究.給齣瞭電離輻射條件下不同輻照劑量、輻照偏置、柵結構、溝道呎吋的典型NMOS晶體管電流-電壓(I-V)特性麯線,併對試驗現象進行瞭數值模擬分析.研究結果錶明:NMOS晶體管的溝道邊緣寄生漏電主要是由電離輻射感生氧化物陷阱電荷在場氧化層中積纍造成的；截止輻照偏置下的寄生漏電明顯小于導通偏置；與梳形柵和蛇形柵相比,環形柵結構未齣現寄生漏電；NMOS晶體管溝道長度越小,寄生漏電就越嚴重.
대전형MOS기건적구도변연전리복사기생루전진행료연구.급출료전리복사조건하불동복조제량、복조편치、책결구、구도척촌적전형NMOS정체관전류-전압(I-V)특성곡선,병대시험현상진행료수치모의분석.연구결과표명:NMOS정체관적구도변연기생루전주요시유전리복사감생양화물함정전하재장양화층중적루조성적；절지복조편치하적기생루전명현소우도통편치；여소형책화사형책상비,배형책결구미출현기생루전；NMOS정체관구도장도월소,기생루전취월엄중.
