光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2013年
3期
293-297
,共5页
潘盼%安俊明%王亮亮%张俪耀%王玥%胡雄伟
潘盼%安俊明%王亮亮%張儷耀%王玥%鬍雄偉
반반%안준명%왕량량%장려요%왕모%호웅위
InP阵列波导光栅%简单传输函数法%系统误差%随机误差
InP陣列波導光柵%簡單傳輸函數法%繫統誤差%隨機誤差
InP진렬파도광책%간단전수함수법%계통오차%수궤오차
在InP阵列波导光栅的制作过程中会引入不同的误差,从而影响器件的性能.为了最大限度地控制误差,提高半导体器件性能,本文采用传输函数法对InP基阵列波导光栅的系统误差和随机误差分别进行了分析.从系统误差的模拟结果中可以得到如下结论:深脊型波导的有效折射率nc平均每偏移+0.000 1,中心波长偏移+0.05nm.相邻阵列波导长度差△L每偏移+0.01 μm,中心波长将偏移+0.44 nm.nc和△L仅仅会影响到传输谱中心通道及其他各通道对应的波长,使得传输谱发生整体漂移,而信道间隔及串扰不会改变.罗兰圆半径R偏移不会影响器件的中心通道对应的波长,但会使其它通道对应的波长发生变化,最终使得信道间隔改变,R增加50 μm,信道间隔减小0.03 nm.从随机误差模拟结果中,得出:波导芯区折射率、上包层折射率、衬底折射率、波导宽度和波导芯层厚度的随机波动会对阵列波导光栅的串扰产生较大的影响.根据以上分析,可以通过控制不同参量来调节器件的中心波长以及信道间隔等来优化阵列波导光栅的光学性能.
在InP陣列波導光柵的製作過程中會引入不同的誤差,從而影響器件的性能.為瞭最大限度地控製誤差,提高半導體器件性能,本文採用傳輸函數法對InP基陣列波導光柵的繫統誤差和隨機誤差分彆進行瞭分析.從繫統誤差的模擬結果中可以得到如下結論:深脊型波導的有效摺射率nc平均每偏移+0.000 1,中心波長偏移+0.05nm.相鄰陣列波導長度差△L每偏移+0.01 μm,中心波長將偏移+0.44 nm.nc和△L僅僅會影響到傳輸譜中心通道及其他各通道對應的波長,使得傳輸譜髮生整體漂移,而信道間隔及串擾不會改變.囉蘭圓半徑R偏移不會影響器件的中心通道對應的波長,但會使其它通道對應的波長髮生變化,最終使得信道間隔改變,R增加50 μm,信道間隔減小0.03 nm.從隨機誤差模擬結果中,得齣:波導芯區摺射率、上包層摺射率、襯底摺射率、波導寬度和波導芯層厚度的隨機波動會對陣列波導光柵的串擾產生較大的影響.根據以上分析,可以通過控製不同參量來調節器件的中心波長以及信道間隔等來優化陣列波導光柵的光學性能.
재InP진렬파도광책적제작과정중회인입불동적오차,종이영향기건적성능.위료최대한도지공제오차,제고반도체기건성능,본문채용전수함수법대InP기진렬파도광책적계통오차화수궤오차분별진행료분석.종계통오차적모의결과중가이득도여하결론:심척형파도적유효절사솔nc평균매편이+0.000 1,중심파장편이+0.05nm.상린진렬파도장도차△L매편이+0.01 μm,중심파장장편이+0.44 nm.nc화△L부부회영향도전수보중심통도급기타각통도대응적파장,사득전수보발생정체표이,이신도간격급천우불회개변.라란원반경R편이불회영향기건적중심통도대응적파장,단회사기타통도대응적파장발생변화,최종사득신도간격개변,R증가50 μm,신도간격감소0.03 nm.종수궤오차모의결과중,득출:파도심구절사솔、상포층절사솔、츤저절사솔、파도관도화파도심층후도적수궤파동회대진렬파도광책적천우산생교대적영향.근거이상분석,가이통과공제불동삼량래조절기건적중심파장이급신도간격등래우화진렬파도광책적광학성능.