江南大学学报（自然科学版）
江南大學學報（自然科學版）
강남대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SOUTHERN YANGTZE UNIVERSITY（NATURAL SCIENCE EDITION）
2013年
4期
424-428
,共5页
植入式%逐次逼近型%模数转换器%低电压%低功耗
植入式%逐次逼近型%模數轉換器%低電壓%低功耗
식입식%축차핍근형%모수전환기%저전압%저공모
implantation%SAR%ADC%low voltage%low power
为适应植入式医用芯片的使用要求,给出一低电压低功耗逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)的设计.从降低功耗出发,提出了一种新的能量高效开关策略.与传统开关策略相比,电容阵列的平均开关能量减少了68％,电容阵列的面积仅为传统开关策略的50％;采用带校正的动态比较器,在提高精度的同时可以降低功耗;采用异步时钟,省略了高频时钟产生器,进一步降低了功耗.提出的5 Ms-1 11位SAR ADC采用SMIC 0.18 μm CMOS混合信号工艺流片.供电电压低至1V,功耗仅为0.236 mW,SNDR,SFDR分别达到55.1,68.38 dB.核心面积为650 μm × 1 000μm,符合植入式系统的要求.
為適應植入式醫用芯片的使用要求,給齣一低電壓低功耗逐次逼近型模數轉換器(SAR ADC)的設計.從降低功耗齣髮,提齣瞭一種新的能量高效開關策略.與傳統開關策略相比,電容陣列的平均開關能量減少瞭68％,電容陣列的麵積僅為傳統開關策略的50％;採用帶校正的動態比較器,在提高精度的同時可以降低功耗;採用異步時鐘,省略瞭高頻時鐘產生器,進一步降低瞭功耗.提齣的5 Ms-1 11位SAR ADC採用SMIC 0.18 μm CMOS混閤信號工藝流片.供電電壓低至1V,功耗僅為0.236 mW,SNDR,SFDR分彆達到55.1,68.38 dB.覈心麵積為650 μm × 1 000μm,符閤植入式繫統的要求.
위괄응식입식의용심편적사용요구,급출일저전압저공모축차핍근형모수전환기(SAR ADC)적설계.종강저공모출발,제출료일충신적능량고효개관책략.여전통개관책략상비,전용진렬적평균개관능량감소료68％,전용진렬적면적부위전통개관책략적50％;채용대교정적동태비교기,재제고정도적동시가이강저공모;채용이보시종,성략료고빈시종산생기,진일보강저료공모.제출적5 Ms-1 11위SAR ADC채용SMIC 0.18 μm CMOS혼합신호공예류편.공전전압저지1V,공모부위0.236 mW,SNDR,SFDR분별체도55.1,68.38 dB.핵심면적위650 μm × 1 000μm,부합식입식계통적요구.
