发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2014年
6期
637-642
,共6页
田海涛%王禄%温才%石震武%孙庆灵%高怀举%王文新%陈弘
田海濤%王祿%溫纔%石震武%孫慶靈%高懷舉%王文新%陳弘
전해도%왕록%온재%석진무%손경령%고부거%왕문신%진홍
量子点%二维电子气%应力%分子束外延
量子點%二維電子氣%應力%分子束外延
양자점%이유전자기%응력%분자속외연
quantum dots%two-dimensional electron gas%strain%molecular beam epitaxy
系统研究了在调制掺杂AlGaAs/GaAs异质结中嵌入InAs量子点后对二维电子气输运特性的影响.使用分子束外延设备生长了量子点层与二维电子气沟道距离(Tch)不同的3个样品,霍尔测试结果表明,二维电子气的电子迁移率和载流子浓度都随Tch的减小而降低.基于几何相位分析算法对部分样品的高分辨透射电镜图像进行了处理,得到了其应变分布图.结果表明,应变主要分布在量子点的周围,并延伸到了量子点的上方.该不均匀的应力场可能是除库伦散射外影响电子迁移率降低的另一个重要因素.
繫統研究瞭在調製摻雜AlGaAs/GaAs異質結中嵌入InAs量子點後對二維電子氣輸運特性的影響.使用分子束外延設備生長瞭量子點層與二維電子氣溝道距離(Tch)不同的3箇樣品,霍爾測試結果錶明,二維電子氣的電子遷移率和載流子濃度都隨Tch的減小而降低.基于幾何相位分析算法對部分樣品的高分辨透射電鏡圖像進行瞭處理,得到瞭其應變分佈圖.結果錶明,應變主要分佈在量子點的週圍,併延伸到瞭量子點的上方.該不均勻的應力場可能是除庫倫散射外影響電子遷移率降低的另一箇重要因素.
계통연구료재조제참잡AlGaAs/GaAs이질결중감입InAs양자점후대이유전자기수운특성적영향.사용분자속외연설비생장료양자점층여이유전자기구도거리(Tch)불동적3개양품,곽이측시결과표명,이유전자기적전자천이솔화재류자농도도수Tch적감소이강저.기우궤하상위분석산법대부분양품적고분변투사전경도상진행료처리,득도료기응변분포도.결과표명,응변주요분포재양자점적주위,병연신도료양자점적상방.해불균균적응력장가능시제고륜산사외영향전자천이솔강저적령일개중요인소.
